技術領域

本發明是有關于一種電子組件的制造方法，且特別是有關于一種薄膜晶體管的制造方法。

背景技術

在公知的薄膜晶體管的制造方法中，在基板上依序形成柵極、柵絕緣層與信道后，通常會在信道上額外形成一信道保護層。然后，在利用一額外的光罩圖案化信道保護層，以形成覆蓋部份信道的信道保護圖案。如此一來，在圖案化覆蓋在信道以及信道保護圖案上的導電層以形成薄膜晶體管的源極與漏極的過程中，圖案化導電層的蝕刻液便不易接觸到信道?，從而達到保護信道的目的。然而，在公知技術中，需使用額外的材料形成信道?保護層且需利用額外的光罩圖案化出信道保護圖案，而不利于成本降低及環保。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管的制造方法，其不需使用額外的材料及光罩便能夠形成信道保護圖案，而具有降低薄膜晶體管成本及環保的優點。

本發明的薄膜晶體管的制造方法，包括下列步驟。于基板上形成柵極。于基板上形成柵絕緣層，以覆蓋柵極。于柵絕緣層上形成半導體層。于半導體層上形成第一光阻材料層。圖案化第一光阻材料層，以于半導體層上形成第一光阻圖案。以第一光阻圖案為罩幕圖案化半導體層，以形成一信道?。以一光罩為罩幕圖案化第一光阻圖案，以形成暴露出信道?相對二端的信道保護圖案。于基板上形成導電層，以覆蓋信道保護圖案及信道的相對二端。于導電層上形成第二光阻材料層。再度以上述光罩為罩幕圖案化第二光阻材料層，以形成第二光阻圖案，其中第一光阻圖案與第二光阻圖案的一為正型光阻，而第一光阻圖案與第二光阻圖案的另一為負型光阻。以第二光阻圖案為罩幕圖案化導電層，以形成分別覆蓋信道?相對二端的源極與漏極。

在本發明的一實施例中，上述的薄膜晶體管的制造方法，還包括下列步驟：在形成源極與漏極之后，移除第二光阻圖案。

在本發明的一實施例中，上述的移除第二光阻圖案的步驟為：利用灰化制程去除第二光阻圖案。

在本發明的一實施例中，上述的信道保護圖案的最大膜厚大于第二光阻圖案的最大膜厚。

在本發明的一實施例中，上述的形成第二光阻材料層的步驟為：形成膜厚均勻的第二光阻材料層。

在本發明的一實施例中，上述的形成膜厚均勻的第二光阻材料層的方法包括：利用狹縫式印刷于導電層上涂布光阻材料；或者利用噴墨印刷于導電層上涂布光阻材料。

在本發明的一實施例中，上述的第一光阻圖案為負型光阻，第二光阻圖案為正型光阻，光罩具有透光區以及位于透光區外的遮光區，而光罩的透光區的形狀與信道保護圖案的形狀相同，光罩的遮光區的形狀與第二光阻圖案的形狀相同。

在本發明的一實施例中，上述的第一光阻圖案為正型光阻，而第二光阻圖案為負型光阻，光罩具有一透光區以及位于透光區外的遮光區，而光罩的透光區的形狀與第二光阻圖案的形狀相同，光罩的遮光區的形狀與信道保護圖案的形狀相同。

在本發明的一實施例中，上述的第二光阻圖案在基板上的正投影與信道保護圖案在基板上的正投影互補。

在本發明的一實施例中，上述的信道?的材質包括金屬氧化物半導體。

基于上述，在本發明一實施例薄膜晶體管的制造方法中，是利用圖案化出信道的第一光阻圖案的一部份做為信道保護圖案，并且是利用同一個光罩制作出信道保護圖案、源極與漏極。因此，在本發明一實施例的薄膜晶體管的制造方法中，不需使用額外的光罩及材料來制作信道保護圖案，進而使薄膜晶體管兼具低成本及環保的優勢。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1H為本發明一實施例的薄膜晶體管制造流程的剖面示意圖；

圖2A至圖2H為本發明另一實施例的薄膜晶體管制造流程的剖面示意圖。

【主要組件符號說明】

10：基板

10a：承載面

As：遮光區

At：透光區

D：漏極

d：方向

G：柵極

GI：柵絕緣層

M1、M2：光罩

PR1：第一光阻材料層

PR1’：第一光阻圖案

ESL：信道保護圖案

PR2：第二光阻材料層

PR2’：第二光阻圖案

SE：半導體層

SE’：信道?

SE’-1、SE’-2：信道?的一端

SD：導電層

S：源極

TFT：薄膜晶體管