1.一種薄膜晶體管的制造方法，包括下列步驟：

于一基板上形成一柵極；

于該基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋該柵極；

于該柵絕緣層上形成一半導體層；

于該半導體層上形成一第一光阻材料層；

圖案化該第一光阻材料層，以于該半導體層上形成一第一光阻圖案；

以該第一光阻圖案為罩幕圖案化該半導體層，以形成一信道?；

以一光罩為罩幕圖案化該第一光阻圖案，以形成一信道保護圖案，其中該信道保護圖案暴露出該信道的相對二端；

于該基板上形成一導電層，以覆蓋該信道保護圖案以及該信道的相對二端；

于該導電層上形成一第二光阻材料層；

再度以該光罩為罩幕圖案化該第二光阻材料層，以形成一第二光阻圖案，其中該第一光阻圖案與該第二光阻圖案的一為正型光阻，而該第一光阻圖案與該第二光阻圖案的另一為負型光阻；以及

以該第二光阻圖案為罩幕圖案化該導電層，以形成分別覆蓋該信道?相對二端的一源極與一漏極。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，還包括下列步驟：

在形成該源極與該漏極之后，移除該第二光阻圖案。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，移除該第二光阻圖案的步驟為：

利用一灰化制程去除該第二光阻圖案。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該信道保護圖案的最大膜厚大于該第二光阻圖案的最大膜厚。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成該第二光阻材料層的步驟為：

形成膜厚均勻的該第二光阻材料層。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成膜厚均勻的該第二光阻材料層的方法包括：

利用狹縫式印刷于該導電層上涂布一光阻材料；或

利用噴墨印刷于該導電層上涂布該光阻材料。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一光阻圖案為負型光阻，該第二光阻圖案為正型光阻，該光罩具有一透光區以及位于該透光區外的一遮光區，而該光罩的透光區的形狀與該信道保護圖案的形狀相同，該光罩的遮光區的形狀與該第二光阻圖案的形狀相同。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第一光阻圖案為正型光阻，而該第二光阻圖案為負型光阻，該光罩具有一透光區以及位于該透光區外的一遮光區，而該光罩的透光區的形狀與該第二光阻圖案的形狀相同，該光罩的遮光區的形狀與該信道保護圖案的形狀相同。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該第二光阻圖案在該基板上的正投影與該信道保護圖案在該基板上的正投影互補。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，該信道的材質包括一金屬氧化物半導體。