[發明專利]一種具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料及其制備方法與應用在審
| 申請號: | 201410263579.0 | 申請日: | 2014-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN103996835A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發明(設計)人: | 高云智;陳思源;顏世銀 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | H01M4/38 | 分類號: | H01M4/38 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 150000 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 硅烷偶聯劑 覆層 結構 負極 材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料,其特征在于所述硅基負極材料以單質硅為基底,在基底外包覆有硅烷偶聯劑修飾層。
2.一種權利要求1所述的具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料的制備方法,其特征在于所述方法步驟如下:
(1)將硅烷偶聯劑與硅粉進行超聲共混,在保護氣氛中于40-120℃溫度下回流,對硅粉進行修飾;其中:硅烷偶聯劑的加入量為硅粉質量分數的0.01-10%;?
(2)將所述混合溶液洗滌、抽濾、真空干燥,得到具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料。
3.根據權利要求2所述的具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料的制備方法,其特征在于所述硅粉的制備方法為氣相法、溶膠—凝膠法、沉淀法、微乳液法、球磨法的一種。
4.根據權利要求2或3所述的具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料的制備方法,其特征在于所述硅粉的粒徑區間范圍在20到8000?nm之間。
5.根據權利要求2所述的具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料的制備方法,其特征在于所述硅烷偶聯劑為γ—氨丙基三乙氧基硅烷、γ―(2,3―環氧丙氧)?丙基三甲氧基硅烷、γ—(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三丁酮肟基硅烷、異氰酸丙基三乙氧基硅烷的一種。
6.根據權利要求2所述的具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料的制備方法,其特征在于所述回流時間為5-10?h。
7.根據權利要求2所述的具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料的制備方法,其特征在于所述真空干燥溫度為45-55℃,真空干燥時間為10-12?h。
8.權利要求1所述的具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料摻雜在石墨中作為鋰離子電池負極材料的應用。
9.根據權利要求8所述的具有硅烷偶聯劑包覆層結構的硅基負極材料摻雜在石墨中作為鋰離子電池負極材料的應用,其特征在于所述硅基負極材料占石墨含量的1~98%。
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