[發(fā)明專利]溢出通路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410182703.0 | 申請(qǐng)日： | 2014-03-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104332448B | 公開（公告）日： | 2018-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | P·阿赫馬達(dá);E·A·賽卡達(dá);M·科瓦;J·C·岡薩雷茲;O·G·洛佩茲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 弗萊克斯電子有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/28 | 分類號(hào)： | H01L23/28;H01L23/16;H01L21/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 美國(guó)科*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溢出 通路 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
a.計(jì)算芯片，其與印刷電路板物理聯(lián)結(jié)；以及
b.計(jì)算芯片主體上的第一流體通道，其與所述印刷電路板上的第二流體通道聯(lián)結(jié)以形成連接的流體通道，從而允許流體從所述計(jì)算芯片下方的空間流出至所述印刷電路板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述流體包括焊劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述流體包括大量氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述流體是在施加熱時(shí)產(chǎn)生的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述熱是在回流工藝中施加的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述流體通道包括卸壓機(jī)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述計(jì)算芯片包括底部終端組件。
8.一種半導(dǎo)體組件，包括位于印刷電路板主體上的第一流體壓力卸壓結(jié)構(gòu)，所述第一流體壓力卸壓結(jié)構(gòu)與計(jì)算芯片主體上的第二流體壓力卸壓結(jié)構(gòu)流體地聯(lián)結(jié)，從而允許流體從所述計(jì)算芯片下方的空間流出至所述印刷電路板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組件，其中，所述第一流體壓力卸壓結(jié)構(gòu)和所述第二流體壓力卸壓結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)流體通道。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的組件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)流體通道在所述半導(dǎo)體組件的拐角處。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的組件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)流體通道在所述半導(dǎo)體組件的側(cè)邊處。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組件，其中，所述組件包括雙平面無(wú)引線(DFN)、平面網(wǎng)格陣列(LGA)或縮回式四方扁平無(wú)引線(PQFN)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組件，其中，所述流體壓力是在施加熱時(shí)產(chǎn)生的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的組件，其中，所述熱包括回流工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組件，其中，所述流體壓力是由所述組件內(nèi)的大量氣體產(chǎn)生的。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組件，其中，所述流體壓力是由所述組件內(nèi)的大量焊劑產(chǎn)生的。
17.一種防止在半導(dǎo)體封裝中建立壓力的方法，包括：
a.在半導(dǎo)體封裝中提供一個(gè)或多個(gè)孔；
b.在印刷電路板上提供與所述半導(dǎo)體封裝中的所述一個(gè)或多個(gè)孔聯(lián)結(jié)的壓力卸壓結(jié)構(gòu)；以及
c.在施加熱時(shí)允許流體從所述半導(dǎo)體封裝中的所述一個(gè)或多個(gè)孔被釋出至所述印刷電路板上的所述壓力卸壓結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述孔包括通道。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述流體包括焊劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述流體包括大量氣體。
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