1.一種用于形成鰭片FET器件的方法，包括:

從體半導體襯底形成多個半導體鰭片；

在所述多個半導體鰭片的每一個之間形成氧化物層，所述氧化物層從所述體半導體襯底延伸且僅部分地沿每個所述半導體鰭片的側壁向上延伸以覆蓋每個所述半導體鰭片的底部，所述半導體鰭片的每一個的所述側壁的頂部被暴露并且沒有被所述氧化物層覆蓋；

在所述半導體鰭片的每一個的所述頂部上形成虛設隔離物；

剝離所述氧化物層以暴露所述體半導體襯底和所述半導體鰭片的每一個的所述底部；

沉積摻雜材料，所述摻雜材料與暴露的所述體半導體襯底和所述半導體鰭片的每一個的所述底部接觸；

熱處理所述體半導體襯底以將摻雜劑從所述摻雜材料驅入到暴露的所述體半導體襯底和所述半導體鰭片的每一個的所述底部；

剝離所述摻雜材料；

沉積第二氧化物層，所述第二氧化物層與暴露的所述體半導體襯底和所述半導體鰭片的每一個的所述底部接觸；以及

從所述半導體鰭片的每一個剝離所述虛設隔離物。

2.根據權利要求1的方法，其中通過外延沉積來沉積摻雜材料。

3.根據權利要求2的方法，其中所述摻雜材料是磷-硅。

4.根據權利要求2的方法，其中所述摻雜材料是硼-硅鍺或者硼-硅。

5.根據權利要求1的方法，其中通過等離子體沉積來沉積摻雜材料。

6.根據權利要求5的方法，其中所述摻雜材料是磷。

7.根據權利要求5的方法，其中所述摻雜材料是硼。

8.根據權利要求1的方法，其中在剝離所述氧化物層和沉積摻雜材料之間，還包括減薄所述半導體鰭片的每一個的所述底部。

9.根據權利要求1的方法，其中所述半導體鰭片和體半導體襯底是硅。

10.根據權利要求1的方法，還包括形成包覆在所述半導體鰭片中的至少一個周圍的柵極。

11.一種鰭片FET結構包括:

體半導體襯底；

多個半導體鰭片，從所述體半導體襯底延伸，所述多個半導體鰭片的每一個都具有頂部和底部以便所述半導體鰭片的所述底部被摻雜并且所述半導體鰭片的所述頂部未摻雜；

所述體半導體襯底直接位于所述多個半導體鰭片下面的部分被摻雜以形成n+或者p+阱；以及

氧化物，在所述鰭片的所述底部之間形成。

12.根據權利要求11的鰭片FET結構，其中與所述多個半導體鰭片的所述頂部比較，所述多個半導體鰭片的每一個的所述底部被減薄。

13.根據權利要求12的鰭片FET結構，其中，歸因于所述多個半導體鰭片的每一個的減薄的底部，所述鰭片FET結構的寄生電容被減小。

14.根據權利要求11的鰭片FET結構，其中所述半導體鰭片和體半導體襯底是硅。

15.根據權利要求11的鰭片FET結構，還包括包覆在所述半導體鰭片中的至少一個周圍的柵極。

16.根據權利要求11的鰭片FET結構，其中所述多個半導體鰭片的每一個都具有源極和漏極，并且其中所述阱阻礙所述源極和漏極之間的電路徑并且最小化結漏電流。

17.根據權利要求11的鰭片FET結構，其中所述氧化物僅接觸所述體半導體襯底和所述鰭片的所述底部。

18.根據權利要求11的鰭片FET結構，其中所述氧化物僅接觸所述體半導體襯底的摻雜部分和所述鰭片的摻雜部分。