技術領域

本發明涉及鉺光放大器的技術，特別是適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法。通過設計鉺光放大器材料的結構，可以實現鉺離子對LED光源發出的光具有高吸收效率，提高了泵浦光效率，從而有效降低光放大器成本的技術。

背景技術

光放大器作為光通信網絡中的核心器件，一直是光通信領域的一個重要內容。光放大器能夠直接進行光放大，無需經過光電轉換，從而消除目前許多系統中的電子瓶頸，好比信息高速公路的“加油站”，使超長距離傳輸成為可能。摻鉺(Er)光放大器由于其獨特的優勢，在光通信領域應用十分廣泛。然而，稀土Er3+具有窄的能級吸收的特點，摻鉺光放大器需要采用價格昂貴的單模激光器(比如980nm、1480nm)來泵浦。如果能夠采用LED光源來泵浦摻鉺光放大器，那么摻鉺光放大器的成本將可以進一步降低。雖然也有報導采用大功率LED來直接泵浦鉺光放大器，但由于沒能從根本上解決Er3+能級吸收弱的特點，泵浦效率非常低，限制了其在現實中的應用。此外，也有采用將Er3+摻入半導體材料中，實現LED光源的泵浦的光放大器，但泵浦效率等問題仍未很好地解決。因此，研制LED光源激發下，Er3+高效發光的基質材料對實現低成本的摻鉺光放大器有著重要的意義。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，其是通過設計鉺光放大器材料的結構，以實現鉺離子對LED光源發出的光具有高吸收效率，提高泵浦光效率，從而可以有效降低光放大器的成本。

本發明提供一種適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：取Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE；

步驟2：將Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE壓制成靶材；

步驟3：采用濺射的方法，濺射靶材；

步驟4：靶材上濺射出的粒子，在基片上沉積，形成Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺/RE的薄膜，完成制備。

本發明還提供一種適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：取Sr_mBa_nSi_xO_y：RE；

步驟2：取Er₂O₃；

步驟3：將Sr_mBa_nSi_xO_y：RE：RE和Er₂O₃分別壓制成靶材；

步驟4：采用濺射的方法，同時濺射兩種靶材；

步驟5：靶材上濺射出的粒子，在基片上沉積，形成Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE的薄膜，完成制備。

附圖說明

為進一步說明本發明的具體技術內容，以下結合實施例及附圖詳細說明如后，其中：

圖1是本發明實施例1的制備流程圖；

圖2是本發明實施例2的制備流程圖；

圖3是SrmBanSixOy：Er3+／RE薄膜的紅外發光譜和紅外發光對應的激發譜。

具體實施方式

實施例1：

請參閱圖1所示，本發明提供一種適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，包括如下步驟：