1.一種適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：取Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE；

步驟2：將Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺/RE壓制成靶材；

步驟3：采用濺射的方法，濺射靶材；

步驟4：靶材上濺射出的粒子，在基片上沉積，形成Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE的薄膜，完成制備。

2.一種適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：取Sr_mBa_nSi_xO_y：RE；

步驟2：取Er₂O₃；

步驟3：將Sr_mBa_nSi_xO_y：RE：RE和Er₂O₃分別壓制成靶材；

步驟4：采用濺射的方法，同時(shí)濺射兩種靶材；

步驟5：靶材上濺射出的粒子，在基片上沉積，形成Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE的薄膜，完成制備。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，其中所述的Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE中，Er的原子百分?jǐn)?shù)為0.001at.％至10at.％，RE的總原子百分?jǐn)?shù)為0.001at.％至10at.％。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，其中所述Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE中，Er和RE的摩爾比為0.01至100。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，其中所述Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE，RE為Ce、Pr、Eu、Tb、Tm或Yb，或及其組合，其中m的數(shù)值為0-2，n的數(shù)值為0-2。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，其中所述Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE中，m和n的和為0-2。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，其中所述的Sr_mBa_nSi_xO_y：Er³⁺／RE中，x的數(shù)值為0-3，y的數(shù)值為0-7。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用LED光源泵浦的摻鉺光放大器材料的制備方法，其中所述的Sr_mBa_nSi_xO_y：RE，RE的總原子百分?jǐn)?shù)為0.001at.％至10at.％，RE為Ce、Pr、Eu、Tb、Tm或Yb，或及其組合，m的數(shù)值為0-2，n的數(shù)值為0-2，m和n的和為0-2，x的數(shù)值為0-3，y的數(shù)值為0-7。