技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片封裝方法，尤其是一種扇出型方片級封裝的制作方法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品多功能化和小型化的潮流，高密度微電子組裝技術(shù)在新一代電子產(chǎn)品上逐漸成為主流。為了配合新一代電子產(chǎn)品的發(fā)展，尤其是智能手機(jī)、掌上電腦、超級本等產(chǎn)品的發(fā)展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向發(fā)展。扇出型方片級封裝技術(shù)(Fanout?Panel?Level?Package,FOPLP)的出現(xiàn)，作為扇出型晶圓級封裝技術(shù)(Fanout?Wafer?Level?Package,FOWLP)的升級技術(shù)，擁有更廣闊的發(fā)展前景。

日本J-Devices公司在US20110309503A1專利中，給出了一種扇出型晶圓級封裝的制作方法，如圖1所示。J-Devices公司的專利主要工藝如下：

第一步：使用粘結(jié)劑以一定間隔在基板上形成粘結(jié)層；

第二步：在粘結(jié)膠上貼放芯片；

第三步：涂覆第一絕緣樹脂，并在樹脂上開出窗口，露出芯片上的焊盤；

第四步：通過圖形電鍍與光刻的方法，制作重布線層（Redistribution?Layer，RDL）,將芯片上的焊盤引出；

第五步：制作第二絕緣層，并做開口露出重布線層的金屬；

第六步：在第二絕緣層上面制作焊球或凸點(diǎn)。

該技術(shù)的不足之處在于，工藝的第三步中涂覆第一絕緣樹脂，由于通常芯片厚度在50微米以上，所以涂覆絕緣樹脂的厚度不易控制，不利于精細(xì)線路的制作。而且個別樹脂（如PBO）價格較高，不利于成本控制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種扇出型方片級封裝的制作方法，能夠降低制造成本，以及在工藝過程中降低制造難度和提高涂覆樹脂的表面均勻性。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，一種扇出型方片級封裝的制作方法，包括下述步驟：

第一步，提供承載片，在承載片上貼覆粘結(jié)膠；

第二步，將芯片正貼到粘結(jié)膠上；

第三步，在承載片上貼有芯片的那一面上涂覆第二類感光樹脂，第二類感光樹脂包括阻焊油墨、感光綠漆、干膜或感光型增層材料，第二類感光樹脂將芯片覆蓋；

第四步，加熱第二類感光樹脂使其預(yù)固化，然后去除芯片正面的有效圖形區(qū)域以外的第二類感光樹脂，露出芯片的有效圖形區(qū)域，使得芯片焊盤暴露在外；

第五步，在承載片上貼有芯片的那一面上涂覆第一類感光樹脂，第一類感光樹脂包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亞胺或陶氏化學(xué)公司的Intervia材料等用于半導(dǎo)體和芯片封裝行業(yè)的高解析度感光樹脂；第一類感光樹脂將芯片暴露出的有效圖形區(qū)域覆蓋；

第六步，在第一類感光樹脂中形成通向芯片焊盤的導(dǎo)通孔；

第七步，在導(dǎo)通孔中和第一類感光樹脂上沉積一層種子層；在種子層上涂覆光刻膠，然后使得光刻膠上顯露出用于制作電鍍線路的圖形，使用電鍍的方法，在顯露出的圖形區(qū)域中形成電連接芯片焊盤的電鍍線路；

第八步，去除光刻膠和光刻膠底部的種子層，保留電鍍線路底部的種子層；在承載片上再次涂覆一層第二類感光樹脂，使得上層的第二類感光樹脂覆蓋電鍍線路；

然后在上層的第二類感光樹脂上顯露出電鍍線路上的金屬焊盤；

第九步，在金屬焊盤上形成焊球。

進(jìn)一步地，所述第一步中，承載片為矩形，材料為玻璃、金屬板或有機(jī)基板。

進(jìn)一步地，所述第三步中，涂覆第二類感光樹脂的工藝包括旋涂、噴涂、滾涂、絲網(wǎng)印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、滾壓或真空壓合。

進(jìn)一步地，所述第四步中，具體在曝光機(jī)中通過對位曝光工藝，使第二類感光樹脂發(fā)生反應(yīng)，使用顯影液將芯片正面的有效圖形區(qū)域以外的第二類感光樹脂去除。

進(jìn)一步地，所述第五步中，涂覆第一類感光樹脂的工藝包括旋涂、噴涂、滾涂、絲網(wǎng)印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、滾壓或真空壓合。

進(jìn)一步地，所述第七步中，通過濺射金屬或化學(xué)沉銅工藝，在導(dǎo)通孔中和第一類感光樹脂上沉積種子層。

進(jìn)一步地，所述第九步中，通過植球、印刷、電鍍或化學(xué)鍍工藝形成焊球。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：