[發明專利]芯片級封裝結構無效
| 申請號： | 201410032792.0 | 申請日： | 2014-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN103811451A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 施建根 | 申請（專利權）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226006 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片級 封裝 結構 | ||
1.一種芯片級封裝結構，其特征在于，包括：
凸點下金屬層；
金屬柱，設置在凸點下金屬層的上表面，所述金屬柱上表面設置接觸端子。
2.根據權利要求1所述的芯片級封裝結構，其特征在于，
所述芯片級封裝結構還包括半導體芯片，所述半導體芯片的上表面設置有電極，所述凸點下金屬層設置在所述電極上；
在所述半導體芯片與所述上表面對應的下表面，設置散熱金屬層。
3.根據權利要求2所述的芯片級封裝結構，其特征在于，
所述芯片級封裝結構還包括：
鈍化層，覆蓋所述半導體芯片，在所述鈍化層上形成有開口，所述電極從所述開口處外露；
保護層，覆蓋所述鈍化層。
4.根據權利要求1所述的芯片級封裝結構，其特征在于，
所述金屬柱高度為40-110μm。
5.根據權利要求1所述的芯片級封裝結構，其特征在于，
所述凸點下金屬層包括由下至上層疊設置的第一金屬層和第二金屬層，其中，第一金屬層為鈦層，第二金屬層為銅層。
6.根據權利要求2所述的芯片級封裝結構，其特征在于，
所述散熱金屬層的表面形成多個凸起，每個凸起之間彼此間隔。
7.根據權利要求6所述的芯片級封裝結構，其特征在于，
所述散熱金屬層的表面積是所述半導體芯片下表面面積的至少一倍。
8.根據權利要求3所述的芯片級封裝結構，其特征在于，
所述鈍化層的材料為氧化硅、氮化硅或他們的混合物；
所述保護層的材料為纖維。
9.根據權利要求3所述的芯片級封裝結構，其特征在于，
在所述保護層上表面以及環繞所述金屬柱外表面設置樹脂層。
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