[發明專利]制造被絕緣的電氣高壓DC終端或接頭中的方法有效
| 申請號: | 201380072055.7 | 申請日: | 2013-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN105247628B | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | C-O.奧斯森;M.薩特澤;A.林德格倫 | 申請(專利權)人: | ABBHV電纜瑞士有限責任公司 |
| 主分類號: | H01B13/00 | 分類號: | H01B13/00;H02G15/08 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張金金;姜甜 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 絕緣 電氣 高壓 dc 終端 接頭 中的 方法 | ||
1.一種在制造被絕緣的電氣高壓DC終端或接頭中的方法,其包括以下步驟:
-提供(12)被絕緣的電氣高壓DC電纜(20),其包括:高壓DC導體(21);基于聚合物的絕緣系統(22-24),其環繞所述高壓DC導體,所述基于聚合物的絕緣系統包括絕緣層(23)和環繞所述絕緣層的半導體層(24);和接地層(25),其環繞所述半導體層;以及
-在所述高壓DC電纜的至少一個末端部分(27)中去除(13)所述接地層和所述半導體層,由此使所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層暴露,其特征在于以下步驟:
-由覆蓋物暫時覆蓋(14)所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層,該覆蓋物對采用非均勻分布在所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層中存在的至少一個物質是不可滲透的;
-使所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層經受(15)熱處理過程,同時被所述覆蓋物覆蓋,由此使在所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層中的所述至少一個物質的濃度均衡;以及
-去除(16)所述覆蓋物。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述方法在制造所述被絕緣的電氣高壓DC終端或接頭的初始階段中執行。
3.如權利要求1所述的方法,進一步包括預先均衡場分級適配器或接頭主體,所述預先均衡憑借以下步驟而進行:
-在電纜件的具有暴露絕緣層的末端部分中安裝所述場分級適配器或接頭主體,所述暴露絕緣層具有與所述高壓DC電纜的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層相似的組成,由此覆蓋所述電纜件的暴露絕緣層;
-使所述場分級適配器或接頭主體經受熱處理過程使得來自所述電纜件的絕緣層的一個或多個物質擴散到所述場分級適配器或接頭主體內;以及
-從所述電纜件去除所述場分級適配器或接頭主體并且用覆蓋物覆蓋所述場分級適配器或接頭主體的內表面,所述覆蓋物對擴散到所述場分級層內的所述一個或多個物質是不可滲透的,之后在所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中安裝所述場分級適配器或接頭主體。
4.一種在制造被絕緣的電氣高壓DC終端或接頭中的方法,其包括以下步驟:
-提供(32)被絕緣的電氣高壓DC電纜(20),其包括:高壓DC導體(21);基于聚合物的絕緣系統(22-24),其環繞所述高壓DC導體,所述基于聚合物的絕緣系統包括絕緣層(23)和環繞所述絕緣層的半導體層(24);以及環繞所述半導體層的接地層(25);
-在所述高壓DC電纜的至少一個末端部分(27)中去除(33)所述接地層和所述半導體層,由此使所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層暴露;
-在所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中安裝(34)場分級適配器或接頭主體(41),由此覆蓋所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層,所述場分級適配器或接頭主體是所述高壓DC終端或接頭的組成部分,其中至少一個物質采用非均勻分布在所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層中存在,其特征在于以下步驟:
-使所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層經受(35)熱處理過程,同時被安裝的場分級適配器或接頭主體覆蓋,由此使在所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層中所述至少一個物質的濃度均衡。
5.如權利要求4所述的方法,其包括:
-在執行所述經受的步驟之前,由覆蓋物暫時覆蓋所述場分級適配器或接頭主體,該覆蓋物對采用非均勻分布在所述高壓DC電纜的所述至少一個末端部分中的基于聚合物的絕緣系統的絕緣層中存在的所述至少一個物質是不可滲透的;以及
-在所述經受的步驟后去除所述覆蓋物。
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