技術(shù)領(lǐng)域

所描述的實(shí)施例涉及用于晶片檢驗(yàn)的系統(tǒng)，且更特定來(lái)說(shuō)，所描述的實(shí)施例涉及晶片檢驗(yàn)中的自動(dòng)化方案產(chǎn)生。

背景技術(shù)

通常，通過(guò)應(yīng)用于襯底或晶片的一序列處理步驟而制造例如邏輯裝置及存儲(chǔ)器裝置等半導(dǎo)體裝置。通過(guò)這些處理步驟而形成所述半導(dǎo)體裝置的各種特征及多個(gè)結(jié)構(gòu)層級(jí)。例如，光刻(尤其)為涉及在半導(dǎo)體晶片上產(chǎn)生圖案的一種半導(dǎo)體制造工藝。半導(dǎo)體制造工藝的額外實(shí)例包含(但不限于)化學(xué)機(jī)械拋光、蝕刻、沉積及離子植入。多個(gè)半導(dǎo)體裝置可制造于單一半導(dǎo)體晶片上且接著被分成個(gè)別半導(dǎo)體裝置。

在半導(dǎo)體制造工藝期間的各種步驟中使用檢驗(yàn)工藝來(lái)檢測(cè)晶片上的缺陷以促進(jìn)良率提高。隨著設(shè)計(jì)規(guī)則及工藝窗在尺寸上持續(xù)收縮，需要檢驗(yàn)系統(tǒng)來(lái)捕獲晶片表面上的更廣范圍的物理缺陷，同時(shí)維持高生產(chǎn)率。

許多不同類型的檢驗(yàn)系統(tǒng)具有可調(diào)獲取模式參數(shù)(例如數(shù)據(jù)、信號(hào)及/或圖像獲取參數(shù))、可調(diào)缺陷檢測(cè)參數(shù)及可調(diào)缺陷分類參數(shù)。不同參數(shù)用于檢測(cè)不同所關(guān)注缺陷且避免引起無(wú)用公害事件的噪聲源。通過(guò)使單個(gè)工具能夠成功鑒別廣范圍的缺陷，具有可調(diào)獲取模式參數(shù)、缺陷檢測(cè)及分類參數(shù)的檢驗(yàn)系統(tǒng)向半導(dǎo)體裝置制造者提供顯著優(yōu)勢(shì)。然而，成功檢驗(yàn)需要正確地選擇這些參數(shù)。參數(shù)選擇較復(fù)雜且不可預(yù)測(cè)，這是因?yàn)榫匦浴⑷毕萏匦浴⒐に嚄l件及晶片上的噪聲會(huì)顯著變動(dòng)。

對(duì)于需要從公害事件識(shí)別所關(guān)注缺陷的檢驗(yàn)任務(wù)，針對(duì)半導(dǎo)體層的成功檢驗(yàn)方案應(yīng)最大化所檢測(cè)的所關(guān)注缺陷(DOI)的數(shù)目，同時(shí)最小化所檢測(cè)的公害事件的數(shù)目。廣義而言，對(duì)于需要缺陷分級(jí)的檢驗(yàn)任務(wù)，針對(duì)半導(dǎo)體層的成功檢驗(yàn)方案應(yīng)最大化經(jīng)正確分級(jí)的缺陷的數(shù)目，同時(shí)最小化所檢驗(yàn)的公害事件的數(shù)目。制定檢驗(yàn)方案一般涉及：?jiǎn)为?dú)調(diào)諧獲取模式參數(shù)、缺陷檢測(cè)參數(shù)及缺陷分類參數(shù)，直到實(shí)現(xiàn)所要結(jié)果為止。由于人工地考慮獲取模式參數(shù)、缺陷檢測(cè)參數(shù)及缺陷分類參數(shù)的組合，所以此工藝涉及大量人工努力。在一些情況中，可以自動(dòng)化方式考慮缺陷檢測(cè)參數(shù)及獲取模式參數(shù)或分類參數(shù)，但此仍需要人工考慮兩個(gè)參數(shù)空間內(nèi)的參數(shù)集的組合以達(dá)成所要檢驗(yàn)方案。

因此，開(kāi)發(fā)用于在無(wú)需用戶介入的情況下從晶片的掃描結(jié)果產(chǎn)生組合獲取模式、缺陷檢測(cè)及分類參數(shù)的檢驗(yàn)情境的方法及/或系統(tǒng)將是有利的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明呈現(xiàn)用于在無(wú)需來(lái)自用戶的輸入的情況下確定檢驗(yàn)情境的方法及系統(tǒng)。檢驗(yàn)情境包含至少一個(gè)獲取模式、缺陷檢測(cè)參數(shù)值及分類參數(shù)值。接收包含某一數(shù)目個(gè)缺陷事件及與所述缺陷事件關(guān)聯(lián)的分類及屬性的某一數(shù)量的經(jīng)標(biāo)記缺陷數(shù)據(jù)。在無(wú)需用戶輸入的情況下基于所述經(jīng)標(biāo)記缺陷數(shù)據(jù)而確定某一數(shù)目個(gè)檢驗(yàn)情境。所述檢驗(yàn)情境為由所述經(jīng)識(shí)別的屬性形成的數(shù)學(xué)空間內(nèi)的解。在一些實(shí)例中，確定多個(gè)檢驗(yàn)情境且從所述多個(gè)檢驗(yàn)情境選擇所要檢驗(yàn)情境，所述選擇基于所述數(shù)目個(gè)所關(guān)注缺陷及由所述所選檢驗(yàn)情境捕獲的某一數(shù)目個(gè)公害事件。在這些實(shí)例中的一些實(shí)例中，自動(dòng)地做出選擇。

在一個(gè)實(shí)例中，通過(guò)晶片表面的熱檢驗(yàn)而確定某一數(shù)目個(gè)缺陷事件。分類所述缺陷事件且識(shí)別與每一缺陷事件關(guān)聯(lián)的屬性。以此信息標(biāo)記所述缺陷事件。基于所述經(jīng)識(shí)別的屬性及分類而確定檢驗(yàn)情境。

在其它實(shí)例中，某一數(shù)目個(gè)缺陷事件源自通過(guò)檢驗(yàn)晶片表面的一部分而確定的光學(xué)裝置選擇器(OS)數(shù)據(jù)。分類所述缺陷事件且識(shí)別與每一缺陷事件關(guān)聯(lián)的屬性。以此信息標(biāo)記所述缺陷事件。基于所述經(jīng)識(shí)別的屬性及分類而確定檢驗(yàn)情境。

在一些實(shí)例中，經(jīng)標(biāo)記缺陷數(shù)據(jù)與以不同獲取模式執(zhí)行的晶片掃描關(guān)聯(lián)。另外，由所述經(jīng)標(biāo)記缺陷數(shù)據(jù)確定的檢驗(yàn)情境包含所述不同獲取模式中的至少兩者的組合。

以上內(nèi)容為概要且因此必然存在簡(jiǎn)化、一般化及細(xì)節(jié)省略。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，所述概述僅具說(shuō)明性且決不具限制性。本文所描述的裝置及/或工藝的其它方面、發(fā)明特征及優(yōu)點(diǎn)將在本文所闡述的非限制性詳細(xì)描述中顯而易見(jiàn)。

附圖說(shuō)明

圖1為說(shuō)明包含檢驗(yàn)情境優(yōu)化功能性的晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)100的簡(jiǎn)化圖。

圖2為說(shuō)明實(shí)施如本文所描述的自動(dòng)化檢驗(yàn)情境優(yōu)化的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的簡(jiǎn)化圖。

圖3為說(shuō)明包含獲取模式的組合的檢驗(yàn)情境的簡(jiǎn)化圖。

圖4為說(shuō)明包含多模式情境的多個(gè)檢驗(yàn)情境的圖式。

圖5為說(shuō)明確定檢驗(yàn)情境的方法200的流程圖190。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的背景實(shí)例及一些實(shí)施例，在附圖中說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)例。