[發明專利]自動化檢驗情境產生無效
| 申請號: | 201380052470.6 | 申請日: | 2013-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN104718606A | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發明(設計)人: | 莫漢·馬哈德萬;戈文德·塔臺孫德拉姆;阿賈伊·古普塔;簡-于埃爾(亞當)·陳;賈森·基里伍德;阿肖克·庫爾卡尼;松戈尼安·龍;埃內斯托·埃斯科爾西亞 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自動化 檢驗 情境 產生 | ||
1.一種方法,其包括:
接收某一數量的經標記缺陷數據,所述經標記缺陷數據包含多個缺陷事件、與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的分類及與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的多個屬性;及
在無需來自用戶的輸入的情況下基于所述經標記缺陷數據而確定多個檢驗情境,每一檢驗情境包含與所述檢驗情境關聯的獲取模式、缺陷檢測算法參數值及分類算法參數值。
2.根據權利要求1所述的方法,其中與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的所述分類包含真實缺陷、所關注缺陷及公害事件中的任何者。
3.根據權利要求1所述的方法,其中與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的所述多個屬性包含MDAT灰階值、缺陷量值、MDAT偏移及能級中的任何者。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述數量的經標記缺陷數據為經標記光學裝置選擇器數據及經標記熱掃描數據中的任何者。
5.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
從所述多個檢驗情境選擇檢驗情境,所述選擇基于與所述所選檢驗情境關聯的某一數目個所關注缺陷及某一數目個公害事件的所要組合。
6.根據權利要求5所述的方法,其中在無需來自用戶的輸入的情況下執行所述選擇。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述多個檢驗情境的所述確定涉及確定多維空間內的解,其中每一維度由所述多個屬性中的每一者定義。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述數量的經標記缺陷數據與各自以不同獲取模式執行的至少兩個檢驗掃描關聯。
9.根據權利要求8所述的方法,其中所述多個檢驗情境的所述確定涉及至少一個檢驗情境,所述至少一個檢驗情境包含所述至少兩個獲取模式中的至少兩個獲取模式的組合。
10.根據權利要求9所述的方法,其中所述至少兩個獲取模式中的所述至少兩個獲取模式的所述組合包含針對特定數目個公害事件的最大數目個所關注缺陷。
11.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
通過使用第一獲取模式及第一預定組的缺陷檢測參數來檢驗晶片而確定所述多個缺陷事件。
12.根據權利要求11所述的方法,其進一步包括:
通過掃描電子顯微鏡SEM檢視而確定與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的所述分類及與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的所述多個屬性。
13.一種非暫時性計算機可讀媒體,其包括:
用于致使計算機接收某一數量的經標記缺陷數據的代碼,所述數量的經標記缺陷數據包含多個缺陷事件、與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的分類及與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的多個屬性;及
用于致使所述計算機在無需來自用戶的輸入的情況下基于所述經標記缺陷數據而確定多個檢驗情境的代碼,每一檢驗情境包含與所述檢驗情境關聯的獲取模式、缺陷檢測算法參數值及分類算法參數值。
14.根據權利要求13所述的非暫時性計算機可讀媒體,其中所述多個檢驗情境的所述確定涉及確定多維空間內的解,其中每一維度由所述多個屬性中的每一者定義。
15.根據權利要求13所述的非暫時性計算機可讀媒體,其中所述數量的經標記缺陷數據與各自以不同獲取模式執行的至少兩個檢驗掃描關聯。
16.根據權利要求15所述的非暫時性計算機可讀媒體,其中所述多個檢驗情境的所述確定涉及至少一個檢驗情境,所述至少一個檢驗情境包含所述至少兩個獲取模式中的至少兩個獲取模式的組合。
17.一種設備,其包括:
多個存儲元件,其經配置以存儲某一數量的經標記缺陷數據,所述數量的經標記缺陷數據包含多個缺陷事件、與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的分類及與所述多個缺陷事件中的每一者關聯的多個屬性;及
檢驗情境優化工具,其經配置以:
接收所述數量的經標記缺陷數據;及
在無需來自用戶的輸入的情況下基于所述經標記缺陷數據而確定多個檢驗情境,每一檢驗情境包含與所述檢驗情境關聯的獲取模式、缺陷檢測算法參數值及分類算法參數值。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





