技術領域

本發明涉及將形成在襯底例如晶片上的半導體器件的電極抵接到設置在襯底檢查裝置的探針卡的探針的將襯底與探針卡抵接的方法。

背景技術

作為晶片檢查裝置，已知例如對形成在晶片上的多個半導體器件進行電特性檢查的探針裝置和老化(burn in)檢查裝置。

圖11是表示現有的探針裝置的概略結構的截面圖。

在圖11中，探針裝置100包括：形成搬送晶片W的搬送區域的加載室101；和進行形成在晶片W的多個半導體器件的電特性檢查的檢查室102，由控制裝置控制加載室101和檢查室102內的各種設備進行半導體器件的電特性檢查。檢查室102包括：載置由搬送臂103從加載室101搬入的晶片W并將其在X、Y、Z和θ方向上移動的載置臺106；配置在載置臺106的上方的彈性架(pogo frame)109；和支承于彈性架109的探針卡108；與載置臺106協作使設置在探針卡108的多個探針(檢查針)與形成在晶片W的多個半導體器件的各電極的相對位置對準的對位機構110。通過對位機構110和載置臺106的協作使晶片W和探針卡108的相對位置對準后，探針卡108的各探針分別抵接到晶片W的各電極，進行形成在晶片W的多個半導體器件的電特性檢查(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-140241號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

然而，現有的晶片檢查裝置的探針卡與晶片的抵接方法存在如下問題：在將載置有晶片W的載置臺(吸盤部件)移動至支承于晶片檢查裝置的晶片檢查用接口的探針卡位置后，使晶片W由升降裝置(升降器)按每個載置臺上升，由此使設置在晶片W的半導體器件的各電極與設置在探針卡的各探針抵接，在半導體器件的各電極與各探針的抵接部分的接觸電阻容易發生偏差，無法良好地檢查半導體器件的電特性。

本發明想要解決的技術問題在于提供一種能夠良好地進行設置在襯底的半導體器件的電特性檢查的襯底檢查裝置的將襯底與探針卡抵接的方法。

用于解決問題的技術方案

根據本發明，提供一種將襯底與探針卡抵接的方法，用于將上述襯底抵接到對形成在襯底的半導體器件的電特性進行檢查的襯底檢查裝置的探針卡，上述將襯底與探針卡抵接的方法的特征在于，包括：將上述襯底隔著板狀部件載置在吸盤部件上后搬送至與上述探針卡相對的位置的搬送步驟；使在上述搬送步驟中所搬送的上述襯底與上述板狀部件一起向上述探針卡移動，使設置在上述襯底的上述半導體器件的多個電極與設置在上述探針卡的多個探針抵接后，使上述襯底與上述板狀部件一起進一步向上述探針卡移動規定量的抵接步驟；在上述抵接步驟后，對上述探針卡與上述板狀部件之間的空間進行減壓，保持上述半導體器件的上述多個電極與上述探針卡的上述多個探針的抵接狀態的保持步驟；和在上述保持步驟后，將上述吸盤部件從上述板狀部件分離的脫離步驟。

在本發明中，優選：上述抵接步驟中的上述規定量為10～150μm。

在本發明中，優選：上述保持步驟中的上述空間的減壓壓力被調整成能夠獲得如下抵接力的壓力，該抵接力能夠克服上述襯底與上述板狀部件的自重和上述半導體器件的上述多個電極與上述探針卡的上述多個探針的抵接反作用力的合計值。

在本發明中，優選：在上述保持步驟中，階段性地對上述空間的壓力進行減壓。

在本發明中，優選：在上述板狀部件的周圍設置有用于將該板狀部件與上述探針卡之間的上述空間密封的密封部件。

在本發明中，優選：上述脫離步驟后的吸盤部件移動至對應于與上述探針卡不同的探針卡的位置，用于進行形成在與上述襯底不同的襯底的半導體器件的電特性的檢查。

在本發明中，優選：在上述保持步驟中，基于對上述吸盤部件的上表面與上述探針卡的安裝面或者上述吸盤部件的上述上表面與上述探針卡的下表面之間的距離進行檢測的距離檢測傳感器的檢測值，對上述空間內的壓力進行調整。

在本發明中，優選：還包括：在上述脫離步驟后，對上述空間進一步減壓，使上述半導體器件的上述多個電極與上述探針卡的上述多個探針的抵接壓力提高的減壓步驟。

發明效果