[發明專利]光刻設備及器件制造方法有效
| 申請號: | 201380022023.6 | 申請日: | 2013-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN104272191B | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發明(設計)人: | H·巴特勒;M·范德威吉斯特 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 張啟程 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻 設備 器件 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求于2012年4月26日提交的美國臨時申請61/638889的權益,并且該美國臨時申請通過引用被全部并入本文。
技術領域
本發明涉及光刻設備和器件制造方法。
背景技術
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上(通常應用到所述襯底的目標部分上)的機器。例如,可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下,可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如,硅晶片)上的目標部分(例如,包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。典型地,經由成像將所述圖案轉移到在所述襯底上設置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常,單個襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。已知的光刻設備包括:所謂步進機,在所述步進機中,通過將整個圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分;以及所謂掃描器,在所述掃描器中,通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。還可以通過將所述圖案壓印到所述襯底上,來將所述圖案從所述圖案形成裝置轉移到所述襯底上。
對光刻設備的各個元件的相對位置和/或方向的精確控制是所期望的以確保高性能(例如精確重疊)。振動可能通過減小測量的精度和/或通過引起待控制的主體的非期望移動來干擾這樣的控制。可將編碼器系統用于執行位置和/或方向測量。在一個主體上的傳感器部分可被配置為檢測從另一主體(其可被稱為參考部分)上的圖案或柵格反射的輻射。可使用干涉儀測量。傳感器部分或反射主體的振動可減小測量的精度。
測量系統(例如編碼器系統)可用于測量相對于參考框架的襯底的位置和/或方向、襯底上形成的圖案的位置和/或方向、或者襯底臺的位置和/或方向。該測量系統可以包括對準傳感器或水平傳感器或兩者皆有。在該背景下,參考框架有時被稱為“量測框架”。可將包括柵格的板(有時被稱為“柵格板”)連接到量測框架,而傳感器部分被連接到襯底臺,反之亦然。由于生產率的原因,可能期望的是使用比之前最通常使用的襯底更大的襯底,例如具有450mm或更大,而不是300mm或更小的直徑的襯底。這樣的襯底需要橫向上(即在平行于襯底的平面的方向)較大的襯底臺、量測框架和柵格板。為了維持在橫向上較大的柵格板中的足夠剛度,柵格板可能需要被制造得更厚。然而,在厚度方向(垂直于襯底的平面)可用的空間量可能是有限的。因此可能必須將參考框架制造得更薄以適應更厚的柵格板。
增大參考框架的橫向尺寸并且降低參考框架的厚度將趨向于減小參考框架的振動或諧振的自然內部模式的頻率(也被稱為本征頻率)。降低的本征頻率可能促成對與參考框架相互作用的測量系統來說更成問題的振動。之前已提出了使用多個比單個參考框架更小的參考框架來使內部本征頻率更高。然而,較小的參考框架更輕并且更容易被加速,并且因此被移位,這也可導致位置控制的誤差。
發明內容
期望提高光刻設備的元件的位置和/或方向控制的精度。
根據實施例,提供一種光學設備,包括:支撐臺;以及測量系統,其包括傳感器部分和參考部分,測量系統被配置為通過使用傳感器部分與參考部分相互作用來確定支撐臺相對于參考框架的位置和/或方向或支撐臺上安裝的部件相對于參考框架的位置和/或方向,其中:參考框架包括N個子框架,N個子框架耦接在一起以便針對低于第一參考頻率的振動主要表現為單個剛性體,并且針對高于第二參考頻率的振動主要表現為N體系統,其中N是大于1的整數。
根據實施例,提供一種器件制造方法,包括:提供用于光刻設備的支撐臺;以及使用包括傳感器部分和參考部分的測量系統來通過使用傳感器部分與參考部分相互作用來確定支撐臺相對于參考框架的位置和/或方向或支撐臺上安裝的部件相對于參考框架的位置和/或方向,其中:參考框架包括N個子框架,N個子框架耦接在一起以便針對低于第一參考頻率的振動主要表現為單個剛性體,并且針對高于第二參考頻率的振動主要表現為N體系統,其中N是大于1的整數。
附圖說明
現在將僅通過示例的方式,參考所附示意圖來描述本發明的實施例,在所附示意圖中,對應的參考標記指示對應的部件,并且在所附示意圖中:
圖1示出根據本發明的實施例的光刻設備;
圖2示出根據本發明的實施例的包括具有兩個子框架和用于動態耦接子框架的耦接系統的參考框架的光刻設備;
圖3示出了根據本發明的實施例的包括力傳感器的示例主動耦接系統;以及
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