技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種可調(diào)正負溫度系數(shù)的恒流源。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)理想恒流源定義為不隨電壓和溫度變化的電流，電流值具有零溫度系數(shù)。

圖1所示的傳統(tǒng)自激推挽式變換器電路中的啟動電路采用的是電阻元件，即圖中的第一電阻R101，這樣流過電阻的啟動電流幾乎保持不變，這種方案會導(dǎo)致自激推挽式變換器具有低溫啟動難而高溫短路易燒壞的缺點，而使得啟動電流具有負溫度特性就可以解決掉由溫度帶來的低溫啟動難而高溫短路易燒壞的缺點。

專利申請?zhí)枮?01110200894.5就公開了一種用具有負溫度特性恒流源取代自激推挽式變換器中的啟動電阻元件，如圖2-1所示，為了提高恒流源的負溫度系數(shù)大小，該專利申請中使用了不易集成、且價格昂貴的熱敏電阻。

為了解決熱敏電阻不易集成的缺點，專利申請?zhí)枮?01310044913.9中提出來了一種應(yīng)用性較強的，且提供了一種能夠提高恒流源負溫度系數(shù)的實施例電路，解決了傳統(tǒng)的負溫度系數(shù)恒流源（如圖2-2所示）溫度系數(shù)比較小的問題，但是提高恒流源負溫度系數(shù)大小的方法并不是唯一的，且該專利申請中只涉及提高電流負溫度系數(shù)大小的方法以及實施例，并沒有涉及如何提高電流正溫度系數(shù)大小的方法以及實施例。

鑒于集成電路工藝中的各個器件都是具有溫度系數(shù)的，但是溫度系數(shù)都不是很大，所以如果需要獲得更大溫度系數(shù)特性參數(shù)就需要通過特定方法才能實現(xiàn)獲得特定溫度系數(shù)參數(shù)的目的。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種可調(diào)正負溫度系數(shù)的恒流源，通過簡單的計算配比就可以得到任意所需正負溫度系數(shù)的電流源，不僅改善了熱敏電阻不易集成的缺點，同時本實用新型所涉及的方法不僅僅只是可以提高電流的負溫度系數(shù)，同時也可以提高電流的正溫度系數(shù)，并且本實用新型具有適用性廣、實用性強的優(yōu)點。

本實用新型實現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是：

一種可調(diào)正負溫度系數(shù)的恒流源，其特征在于：所述的可調(diào)正負溫度系數(shù)恒流源包括第一恒流源、第二恒流源和加權(quán)減法運算電路；所述第一恒流源和第二恒流源的溫度系數(shù)正負相反，所述第一恒流源和第二恒流源的輸出端分別連接到加權(quán)減法運算電路的被減數(shù)輸入端和減數(shù)輸入端，所述加權(quán)減法運算電路通過調(diào)節(jié)第一恒流源和第二恒流源的加權(quán)系數(shù)，輸出正負溫度系數(shù)可調(diào)的恒定電流。

作為本實用新型的優(yōu)選實施方式之一，所述第一恒流源和第二恒流源均為電流鏡電路，該電流鏡電路由左、右PMOS管，左、右NMOS管和第一電阻組成，其中，所述左、右PMOS管的源極相連并接電源端，柵極相連并連接到右PMOS管的漏極，所述左、右NMOS管的柵極相連接并連接到左NMOS管的漏極，左NMOS管的源極接接地端，右NMOS管的源極通過第一電阻連接到接地端，所述左PMOS管和左NMOS管的漏極相連接，所述右PMOS管和右NMOS管的漏極相連接并且該連接點作為電流鏡電路的輸出端；

所述加權(quán)減法運算電路由第一、第二PMOS管和第一、第二、第三、第四NMOS管組成，其中，所述第一、第二PMOS管的源極相連并接電源端，所述第一、第二NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第一NMOS管的漏極，所述第三、第四NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第三NMOS管的漏極，所述第一PMOS管與第一NMOS管的漏極相連接，所述第二PMOS管與第二、第三NMOS管的漏極相連接，所述第四NMOS管的漏極作為加權(quán)減法運算電路的輸出端；

所述第一恒流源的輸出端連接到第二PMOS管的柵極，所述第二恒流源的輸出端連接到第一PMOS管的柵極；所述第一恒流源與第二恒流源的第一電阻的溫度系數(shù)正負相反；所述第一恒流源的加權(quán)系數(shù)為流過所述第二PMOS管與流過第一恒流源的第一電阻的電流之比，所述第二恒流源的加權(quán)系數(shù)則為流過所述第二NMOS管與流過第二恒流源的第一電阻的電流之比。

上優(yōu)選實施方式之一中，所述第一恒流源的第一電阻為N阱擴散電阻，且所述第二恒流源的第一電阻為多晶硅電阻，或者，所述第一恒流源第一電阻為多晶硅電阻，且所述第二恒流源的第一電阻為N阱擴散電阻。