1.一種可調正負溫度系數的恒流源，其特征在于：所述的可調正負溫度系數恒流源包括第一恒流源（A1）、第二恒流源（A2）和加權減法運算電路（A3）；所述第一恒流源（A1）和第二恒流源（A2）的溫度系數正負相反，所述第一恒流源（A1）和第二恒流源（A2）的輸出端分別連接到加權減法運算電路（A3）的被減數輸入端和減數輸入端，所述加權減法運算電路（A3）通過調節第一恒流源（A1）和第二恒流源（A2）的加權系數，輸出正負溫度系數可調的恒定電流。

2.根據權利要求1所述的可調正負溫度系數的恒流源，其特征在于：所述第一恒流源（A1）和第二恒流源（A2）均為電流鏡電路，該電流鏡電路由左、右PMOS管，左、右NMOS管和第一電阻組成，其中，所述左、右PMOS管的源極相連并接電源端，柵極相連并連接到右PMOS管的漏極，所述左、右NMOS管的柵極相連接并連接到左NMOS管的漏極，左NMOS管的源極接接地端，右NMOS管的源極通過第一電阻連接到接地端，所述左PMOS管和左NMOS管的漏極相連接，所述右PMOS管和右NMOS管的漏極相連接并且該連接點作為電流鏡電路的輸出端；

所述加權減法運算電路（A3）由第一、第二PMOS管和第一、第二、第三、第四NMOS管組成，其中，所述第一、第二PMOS管的源極相連并接電源端，所述第一、第二NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第一NMOS管的漏極，所述第三、第四NMOS管的源極相連并接接地端，柵極相連并連接到第三NMOS管的漏極，所述第一PMOS管與第一NMOS管的漏極相連接，所述第二PMOS管與第二、第三NMOS管的漏極相連接，所述第四NMOS管的漏極作為加權減法運算電路（A3）的輸出端；

所述第一恒流源（A1）的輸出端連接到第二PMOS管的柵極，所述第二恒流源（A2）的輸出端連接到第一PMOS管的柵極；所述第一恒流源（A1）與第二恒流源（A2）的第一電阻的溫度系數正負相反；所述第一恒流源（A1）的加權系數為流過所述第二PMOS管與流過第一恒流源（A1）的第一電阻的電流之比，所述第二恒流源（A2）的加權系數則為流過所述第二NMOS管與流過第二恒流源（A2）的第一電阻的電流之比。

3.根據權利要求2所述的可調正負溫度系數的恒流源，其特征在于：所述第一恒流源（A1）的第一電阻為N阱擴散電阻，且所述第二恒流源（A2）的第一電阻為多晶硅電阻，或者，所述第一恒流源（A1）的第一電阻為多晶硅電阻，且所述第二恒流源（A2）的第一電阻為N阱擴散電阻。