1.BICMOS線路結構的帶隙基準電路，其特征在于包括帶隙電路、輸出反饋補償電路、電壓調整電路和啟動電路：?

所述帶隙電路產生隨溫度變化很小的基準電壓；?

所述輸出反饋補償電路是對所述帶隙電路進行頻率響應補償并輸出基準電壓；?

所述電壓調整電路用以調整輸出基準電壓的電壓值；?

所述啟動電路是對所述帶隙電路提供啟動電流。?

2.如權利要求1所述的BICMOS線路結構的帶隙基準電路，其特征在于所述帶隙電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第一電阻、第二電阻和第三電阻：?

所述第一PMOS管的柵極和漏極接所述第二PMOS管的柵極和所述第一NPN管的集電極，源極接基準電壓輸出端；?

所述第二PMOS管的柵極接所述第一PMOS管的柵極和漏極和所述第一NPN管的集電極，漏極接所述第四NPN管的集電極和所述輸出反饋補償電路，源極接基準電壓輸出端；?

所述第一NPN管的基極接所述電壓調整電路，集電極接所述第一PMOS管的柵極和漏極和所述第二PMOS管的柵極，發射極接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端；?

所述第二NPN管的基極和集電極接所述第一電阻的一端和所述第三NPN管的基極，發射極接地；?

所述第三NPN管的基極接所述第二NPN管的基極和集電極和所述第一電阻的一端，集電極接所述第二電阻的一端和所述第四NPN管的基極；?

所述第四NPN管的基極接所述第二電阻的一端和所述第三NPN管的集電極，集電極接所述第二PMOS管的漏極和所述輸出反饋補償電路，發射極接地；?

所述第一電阻的一端接所述第二電阻的一端和所述第一NPN管的發射極，另一端接所述第二NPN管的基極和集電極和所述第三NPN管的基極；?

所述第二電阻的一端接所述第一電阻的一端和所述第一NPN管的發射極，另一端接所述第三NPN管的集電極和所述第四NPN管的基極；?

所述第三電阻的一端接所述第三NPN管的發射極，另一端接地。?

3.如權利要求1所述的BICMOS線路結構的帶隙基準電路，其特征在于所述輸出反饋補償電路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五NPN管、第四電阻、第五電阻和第一電容：?

所述第三PMOS管的柵極接第一PMOS管的柵極和漏極和第二PMOS管的柵極和第一NPN管的集電極，漏極接所述第五NPN管的集電極，源極接基準電壓輸出端；?

所述第四PMOS管的柵極接第二PMOS管的漏極和第四NPN管的集電極和所述第一電容的一?端，漏極接所述第四電阻的一端和所述啟動電路，源極接基準電壓輸出端；?

所述第五NPN管的基極接所述第四電阻的一端和所述第五電阻的一端，集電極接所述第三PMOS管的漏極，發射極接地；?

所述第四電阻的一端接所述第四PMOS管的漏極和所述啟動電路，另一端接所述第五NPN管的基極和所述第五電阻的一端；?

所述第五電阻的一端接所述第五NPN管的基極和所述第四電阻的一端，另一端接地；?

所述第一電容的一端接第二PMOS管的漏極和所述第四NPN管的集電極和所述第四PMOS管的柵極，另一端接所述啟動電路。?

4.如權利要求1所述的BICMOS線路結構的帶隙基準電路，其特征在于所述電壓調整電路包括第六電阻和第七電阻：?

所述第六電阻的一端接基準電壓輸出端，另一端接所述第七電阻的一端和第一NPN管的基極；?

所述第七電阻的一端接所述第六電阻的一端和第一NPN管的基極，另一端接地。?

5.如權利要求1所述的BICMOS線路結構的帶隙基準電路，其特征在于所述啟動電路包括第五PMOS管、第八電阻、第九電阻、第六NPN管、第七NPN管和第八NPN管：?

所述第五PMOS管的柵極接所述第九電阻的一端和所述第六NPN管的集電極和第一電容的一端，漏極接基準電壓輸出端，源極接電源；?

所述第八電阻的一端接電源，另一端接所述第七NPN管的集電極和基極和所述第六NPN管的基極；?

所述第九電阻的一端接電源，另一端接所述第五PMOS管的柵極和所述第六NPN管的集電極；?

所述第六NPN管的基極接所述第七NPN管的基極和集電極和所述第八電阻的一端，集電極接所述第五PMOS管的柵極和所述第九電阻的一端和第一電容的一端，發射極接第四PMOS管的漏極和第四電阻的一端；?

所述第七NPN管的基極和集電極接所述第六NPN管的基極和所述第八電阻的一端，發射極接所述第八NPN管的基極和集電極；?

所述第八NPN管的基極和集電極接所述第七NPN管的發射極，發射極接地。?