技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)方法。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器，又稱為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，簡單地說，就是在斷電情況下能夠保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器，在正常的存儲(chǔ)單元中，編程單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為0，擦除單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)為1。然而編程單元因自身的內(nèi)部缺陷或者宇宙射線等因素影響會(huì)造成浮柵漏電，相應(yīng)存儲(chǔ)單元中的電子會(huì)不斷跑掉，閾值電壓會(huì)逐漸降低，隨著時(shí)間的推移，編程單元中的數(shù)據(jù)由0變?yōu)?，再進(jìn)行讀操作時(shí)，讀出的數(shù)據(jù)就是錯(cuò)誤的，從而降低了非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力。

數(shù)據(jù)保持力是指存儲(chǔ)單元中單個(gè)比特能夠保持其數(shù)據(jù)穩(wěn)定的周期，它是非易失性存儲(chǔ)器非常重要的一個(gè)性能指標(biāo)，它的性能直接影響到存儲(chǔ)器的可靠性和使用壽命。導(dǎo)致數(shù)據(jù)保持力降低的主要因素有存在的漏電、電荷的損失或者增加；此外，高溫或者反復(fù)的擦除編程操作，也可能會(huì)導(dǎo)致電荷量的變化，從而造成數(shù)據(jù)的丟失。通常數(shù)據(jù)保持時(shí)間會(huì)伴隨擦除和編程操作次數(shù)的增加而減少。非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持特性，一般要求是在10年以上。因此，改善數(shù)據(jù)保持力，對(duì)于提高存儲(chǔ)器的可靠性十分重要。

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖1，非易失性存儲(chǔ)器中包括若干個(gè)BANK，每個(gè)BANK中又包括若干個(gè)BLOCK，其中一個(gè)BANK是由位于同一個(gè)基底中的浮柵型場效應(yīng)管組成，BANK內(nèi)部又以若干個(gè)字線為單位劃分BLOCK。在設(shè)計(jì)非易失性存儲(chǔ)器時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)的修復(fù)方法是對(duì)擦除區(qū)域所在的BANK進(jìn)行修復(fù)，而不涉及到其余的BANK，這種修復(fù)方法能夠在一定程度上改善擦除區(qū)域所在的BANK由于擦除操作所產(chǎn)生的強(qiáng)電壓降的影響。然而，對(duì)于擦除區(qū)域以外的BANK，因存在浮柵漏電等原因造成的閾值電壓降低的區(qū)域卻無法進(jìn)行修復(fù)。隨著時(shí)間的累積，會(huì)造成該區(qū)域中編程單元的數(shù)據(jù)丟失，從而使非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力降低。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)方法，來解決非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持力降低的技術(shù)問題。

本發(fā)明提供了一種非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)方法，包括：

開啟所述非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)模塊；

所述修復(fù)模塊判斷是否執(zhí)行對(duì)所述非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)操作，如果不執(zhí)行所述修復(fù)操作，則關(guān)閉所述修復(fù)模塊；

如果執(zhí)行所述修復(fù)操作，則所述修復(fù)模塊對(duì)所述非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)單元進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)；

所述修復(fù)模塊判斷所述修復(fù)單元是否通過修復(fù)校驗(yàn)，如果沒有通過所述修復(fù)校驗(yàn)，則所述修復(fù)模塊對(duì)所述修復(fù)單元進(jìn)行修復(fù)操作；

如果通過所述修復(fù)校驗(yàn)或在完成對(duì)所述修復(fù)單元的修復(fù)操作后，所述修復(fù)模塊根據(jù)預(yù)設(shè)的控制位對(duì)所述修復(fù)單元對(duì)應(yīng)的修復(fù)地址進(jìn)行遞增或遞減并得到下一次的修復(fù)地址，同時(shí)將所述下一次的修復(fù)地址保存在所述非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)陣列中；

關(guān)閉所述修復(fù)模塊。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述修復(fù)模塊首次進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)時(shí)，所述非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)單元為預(yù)設(shè)的初始修復(fù)地址對(duì)應(yīng)的修復(fù)單元。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述修復(fù)模塊再次進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)時(shí)，所述非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)單元為所述下一次的修復(fù)地址對(duì)應(yīng)的修復(fù)單元，其中，所述下一次的修復(fù)地址為上一次執(zhí)行完對(duì)所述非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)操作時(shí)所保存在所述存儲(chǔ)陣列中的修復(fù)地址。

進(jìn)一步地，所述修復(fù)模塊對(duì)所述非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)單元進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)的方式為所述修復(fù)模塊將所述非易失性存儲(chǔ)器的修復(fù)單元的閾值電壓與所述修復(fù)校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。

進(jìn)一步地，所述修復(fù)校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓包括讀電壓和校驗(yàn)電壓，其中，所述讀電壓小于所述校驗(yàn)電壓。

進(jìn)一步地，在所述修復(fù)模塊進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)時(shí)，先進(jìn)行所述讀電壓的修復(fù)校驗(yàn)，再進(jìn)行所述校驗(yàn)電壓的修復(fù)校驗(yàn)。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述修復(fù)單元的閾值電壓大于讀電壓且小于校驗(yàn)電壓時(shí)，所述修復(fù)單元沒有通過所述修復(fù)校驗(yàn)。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述修復(fù)單元的閾值電壓大于讀電壓且大于校驗(yàn)電壓時(shí)，所述修復(fù)單元通過所述修復(fù)校驗(yàn)。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述修復(fù)單元的閾值電壓小于校驗(yàn)電壓且小于讀電壓時(shí)，所述修復(fù)單元通過所述修復(fù)校驗(yàn)。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述預(yù)設(shè)的控制位的值為1時(shí)，所述修復(fù)模塊對(duì)所述修復(fù)單元的修復(fù)地址進(jìn)行遞增；

當(dāng)所述預(yù)設(shè)的控制位的值為0時(shí)，所述修復(fù)模塊對(duì)所述修復(fù)單元的修復(fù)地址進(jìn)行遞減。