1.一種非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，包括：

開啟所述非易失性存儲器的修復(fù)模塊；

所述修復(fù)模塊判斷是否執(zhí)行對所述非易失性存儲器的修復(fù)操作，如果不執(zhí)行所述修復(fù)操作，則關(guān)閉所述修復(fù)模塊；

如果執(zhí)行所述修復(fù)操作，則所述修復(fù)模塊對所述非易失性存儲器的修復(fù)單元進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)；

所述修復(fù)模塊判斷所述修復(fù)單元是否通過修復(fù)校驗(yàn)，如果沒有通過所述修復(fù)校驗(yàn)，則所述修復(fù)模塊對所述修復(fù)單元進(jìn)行修復(fù)操作；

如果通過所述修復(fù)校驗(yàn)或在完成對所述修復(fù)單元的修復(fù)操作后，所述修復(fù)模塊根據(jù)預(yù)設(shè)的控制位對所述修復(fù)單元對應(yīng)的修復(fù)地址進(jìn)行遞增或遞減并得到下一次的修復(fù)地址，同時將所述下一次的修復(fù)地址保存在所述非易失性存儲器的存儲陣列中；

關(guān)閉所述修復(fù)模塊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述修復(fù)模塊首次進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)時，所述非易失性存儲器的修復(fù)單元為預(yù)設(shè)的初始修復(fù)地址對應(yīng)的修復(fù)單元。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述修復(fù)模塊再次進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)時，所述非易失性存儲器的修復(fù)單元為所述下一次的修復(fù)地址對應(yīng)的修復(fù)單元，其中，所述下一次的修復(fù)地址為上一次執(zhí)行完對所述非易失性存儲器的修復(fù)操作時所保存在所述存儲陣列中的修復(fù)地址。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，所述修復(fù)模塊對所述非易失性存儲器的修復(fù)單元進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)的方式為所述修復(fù)模塊將所述非易失性存儲器的修復(fù)單元的閾值電壓與所述修復(fù)校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，所述修復(fù)校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓包括讀電壓和校驗(yàn)電壓，其中，所述讀電壓小于所述校驗(yàn)電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，在所述修復(fù)模塊進(jìn)行修復(fù)校驗(yàn)時，先進(jìn)行所述讀電壓的修復(fù)校驗(yàn)，再進(jìn)行所述校驗(yàn)電壓的修復(fù)校驗(yàn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述修復(fù)單元的閾值電壓大于讀電壓且小于校驗(yàn)電壓時，所述修復(fù)單元沒有通過所述修復(fù)校驗(yàn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述修復(fù)單元的閾值電壓大于讀電壓且大于校驗(yàn)電壓時，所述修復(fù)單元通過所述修復(fù)校驗(yàn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述修復(fù)單元的閾值電壓小于校驗(yàn)電壓且小于讀電壓時，所述修復(fù)單元通過所述修復(fù)校驗(yàn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器的修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述預(yù)設(shè)的控制位的值為1時，所述修復(fù)模塊對所述修復(fù)單元的修復(fù)地址進(jìn)行遞增；

當(dāng)所述預(yù)設(shè)的控制位的值為0時，所述修復(fù)模塊對所述修復(fù)單元的修復(fù)地址進(jìn)行遞減。