1.一種具有界面柵的SOI功率器件結(jié)構(gòu)，從下向上依次設(shè)置有襯底P/N型硅層、埋氧層、n-漂移區(qū)和有源頂層硅，其特征在于：還包括槽型多晶硅柵，所述槽型多晶硅柵設(shè)置于n-漂移區(qū)和有源頂層硅一側(cè)，所述槽型多晶硅柵一端與有源頂層硅平齊，另一端設(shè)置于埋氧層內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有界面柵的SOI功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述位于埋氧層內(nèi)的槽型多晶硅柵沿埋氧層與襯底P/N型硅層交界面延伸形成界面多晶硅柵；所述界面多晶硅柵與有源頂層硅之間間隔設(shè)置有柵氧化層，與襯底P/N型硅層間隔設(shè)置有氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有界面柵的SOI功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述有源頂層硅還設(shè)置有N+漏區(qū)、N+源區(qū)、P+源區(qū)和P-body區(qū)，所述N+源區(qū)與P+源區(qū)相互接觸且位于P-body區(qū)內(nèi)，所述N+源區(qū)與P+源區(qū)上方設(shè)置有源電極，所述N+漏區(qū)上方設(shè)置有漏電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有界面柵的SOI功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底P/N型硅層上設(shè)置有襯底電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有界面柵的SOI功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述有源頂層硅為Si、SiC、GaN半導(dǎo)體材料中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有界面柵的SOI功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述埋氧層為SiO₂和/或Si₃N₄介質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有界面柵的SOI功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述埋氧層還設(shè)置有半導(dǎo)體窗口。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有界面柵的SOI功率器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述槽型多晶硅柵內(nèi)側(cè)表面通過柵氧化層與源N+區(qū)和P-body區(qū)接觸。