相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2012年12月3日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局遞交的第10-2012-0139082號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用全部合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

所公開技術(shù)涉及薄膜沉積源、沉積裝置和使用該沉積裝置的沉積方法。

背景技術(shù)

用于制造顯示裝置、半導(dǎo)體設(shè)備、太陽能電池等的各種過程大部分包含薄膜沉積過程。包括在液晶顯示器、場發(fā)射顯示器、等離子體顯示器和電致發(fā)光顯示器中的多種薄膜例如通過沉積過程形成。

在各種沉積過程之中，用于通過蒸發(fā)沉積物質(zhì)而在基板上形成薄膜的氣相沉積過程通常在真空沉積室中使用熱沉積過程來執(zhí)行。即，基板被安裝在真空沉積室中，并且面向基板的一個表面的沉積源被安裝為通過加熱容納在沉積源中的沉積物質(zhì)而允許沉積物質(zhì)被蒸發(fā)。使氣相的沉積物質(zhì)在真空狀態(tài)下與基板接觸，以便隨后被凝結(jié)，由此在基板上形成薄膜。

在通過氣相沉積在基板上形成薄膜的場合，有必要控制薄膜的厚度。即，有必要根據(jù)目標(biāo)設(shè)備的特性均勻地或非均勻地控制薄膜的厚度。例如，在薄膜的厚度被均勻控制的場合，沉積源可被安裝在遠(yuǎn)離基板的中心的位置，并且基板隨后可被旋轉(zhuǎn)。然而，在這種情況下，沉積室可變得笨重。另外，由于沉積源被安裝在遠(yuǎn)離基板中心的位置，所以從沉積源噴射的大部分氣態(tài)沉積物質(zhì)可能被沉積在沉積室中，而非基板上。另外，當(dāng)基板具有大的面積時，難于旋轉(zhuǎn)基板，并且沉積室變得笨重。

為了克服這些缺點，已經(jīng)提出數(shù)個方法，包括在固定基板的同時平行于基板的一個表面移動沉積源的方法以及在固定沉積源的同時平行于沉積源的一個表面移動基板的方法。在所提出的方法中，不必旋轉(zhuǎn)基板。因而，不必過度增加室的尺寸。另外，由于在沉積源被定位為鄰近基板的狀態(tài)下執(zhí)行沉積，所以大部分沉積物質(zhì)可被沉積在基板的一個表面上。所提出的方法可能更適合在基板具有大的面積時應(yīng)用。

這里，沉積源可包括沿一個方向線性布置的具有與基板的長側(cè)或短側(cè)一樣的長度多個噴嘴。例如，當(dāng)沉積源包括沿一個方向布置的具有基板的短側(cè)的長度的多個噴嘴時，其沿基板的長側(cè)方向從基板的一個短側(cè)的下部分移動到另一側(cè)的下部分，并且沉積物質(zhì)被沉積在基板的一個表面上。以這種方式，沉積源通過一次掃描來執(zhí)行沉積過程。可替代地，沉積源可在多次掃描時執(zhí)行沉積過程，即，借助多次通過基板。

為了調(diào)整形成在基板表面上的薄膜的厚度，噴嘴的形狀和布置可被調(diào)整。然而，當(dāng)具有各種尺寸的基板利用相同的沉積裝備時，噴嘴應(yīng)該具有各種形狀和布置，以便與不同的基板對應(yīng)。另外，為了改變噴嘴的形狀和布置，有必要通過沉積裝置的復(fù)壓來移除真空，以做出這種變化，由此降低加工效率。

發(fā)明內(nèi)容

公開一沉積裝置方面，該沉積裝置能在沉積過程期間在不損失真空的情況下控制沉積在基板的一個表面上的薄膜的厚度。

還公開涉及沉積方法的方面，該沉積方法能在沉積過程期間在不損失真空的情況下控制沉積在基板的一個表面上的薄膜的厚度。

所公開的方面還包括沉積源，該沉積源能在沉積過程期間在不取消真空的情況下控制沉積在基板的一個表面上的薄膜的厚度。

上述和其它方面將在優(yōu)選實施例的下面的描述中被描述或?qū)膬?yōu)選實施例的下面的描述中而明顯。

根據(jù)一個方面，一種薄膜沉積裝置，包括：沉積源，該沉積源包括多個噴嘴，該多個噴嘴將用于形成薄膜的沉積物質(zhì)噴射在基板的一個表面上，并沿第一方向布置；和至少一個快門，該至少一個快門通過打開或遮蔽所述沉積物質(zhì)的噴射通道的至少一部分來控制所述沉積物質(zhì)的噴射區(qū)域。

根據(jù)另一方面，一種薄膜沉積裝置，包括：沉積源，該沉積源包括噴射沉積在基板的一個表面上的沉積物質(zhì)的至少一個噴嘴；和至少一個快門，該至少一個快門被定位在所述至少一個噴嘴的上方，并控制所述沉積物質(zhì)的噴射區(qū)域，其中所述快門根據(jù)沉積在所述基板的所述一個表面上的所述沉積物質(zhì)的厚度和所述沉積物質(zhì)的預(yù)定厚度之間的差而被控制。

根據(jù)又一方面，一種薄膜沉積方法，包括：通過從沉積源噴射沉積物質(zhì)而在基板上形成薄膜；測量所述薄膜的厚度并比較所述薄膜的所述厚度與預(yù)定厚度；以及在所述薄膜的所述厚度大于所述預(yù)定厚度時，遮蔽所述沉積物質(zhì)的面向所述薄膜的噴射區(qū)域的至少一部分，其中所述噴射區(qū)域在所述基板和所述沉積源之間。

根據(jù)又一方面，一種薄膜沉積源，包括：多個噴嘴，該多個噴嘴噴射沉積在基板的一個表面上的沉積物質(zhì)，并沿第一方向布置；和至少一個快門，該至少一個快門通過打開或遮蔽所述沉積物質(zhì)的噴射通道的至少一部分來控制所述沉積物質(zhì)的噴射區(qū)域。