[發明專利]薄膜沉積源、沉積裝置和使用該沉積裝置的沉積方法有效
| 申請號: | 201310516033.7 | 申請日: | 2013-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN103849857B | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發明(設計)人: | 李鐘禹 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/52;C23C14/22;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人: | 李文穎,周艷玲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 沉積 裝置 使用 方法 | ||
1.一種薄膜沉積裝置,包括:
沉積源,該沉積源包括多個噴嘴,該多個噴嘴噴射沉積物質以便在基板的一個表面上形成薄膜并且該多個噴嘴沿平行于所述基板的長側或短側的第一方向布置;和
至少一個快門,該至少一個快門通過打開或遮蔽所述沉積物質的噴射通道的至少一部分而控制所述沉積物質的噴射區域,
其中所述至少一個快門包括:
至少一個快門板保持器,該至少一個快門板保持器被形成為沿所述第一方向延伸并被布置為平行于所述多個噴嘴;和
至少一個快門板,該至少一個快門板沿朝向所述多個噴嘴的方向從所述至少一個快門板保持器伸出,
其中所述至少一個快門板伸出的距離沿朝向所述至少一個快門板保持器的中心的方向減小。
2.如權利要求1所述的薄膜沉積裝置,其中所述至少一個快門被形成為沿所述第一方向延伸,被布置為平行于所述多個噴嘴,并被定位在所述多個噴嘴的至少一側的上方。
3.如權利要求2所述的薄膜沉積裝置,其中所述至少一個快門包括兩個子快門,并且所述兩個子快門中的一個被定位在所述多個噴嘴的上方和一側,所述兩個子快門中的另一個被定位在所述多個噴嘴的上方和另一側,并且所述沉積物質的所述噴射通道被建立在所述兩個子快門之間。
4.如權利要求1所述的薄膜沉積裝置,其中所述至少一個快門板包括多個子快門板并沿所述第一方向布置,所述多個子快門板關于所述沉積源的中心對稱,并且所述多個子快門板中的至少兩個以不同的距離伸出,以控制所述沉積物質的所述噴射區域。
5.如權利要求1所述的薄膜沉積裝置,其中所述至少一個快門包括多個快門板,該多個快門板被布置為沿所述第一方向平行于所述多個噴嘴,并且所述多個快門板中的至少兩個具有不同的高度,并被構造為控制所述沉積物質的噴射角。
6.如權利要求1所述的薄膜沉積裝置,其中所述沉積源沿垂直于所述第一方向并平行于所述基板的一個表面的方向移動。
7.如權利要求1所述的薄膜沉積裝置,進一步包括:
厚度測量傳感器,該厚度測量傳感器測量所述薄膜的厚度;和
控制器,該控制器根據所述薄膜的所述厚度和預定厚度之間的差來控制所述至少一個快門。
8.如權利要求7所述的薄膜沉積裝置,其中所述厚度測量傳感器被形成為沿所述第一方向延伸并被布置為平行于所述多個噴嘴。
9.如權利要求7所述的薄膜沉積裝置,其中所述控制器包括:
厚度計算部分,該厚度計算部分計算所述薄膜的所述厚度;
厚度存儲部分,該厚度存儲部分存儲所述預定厚度;
厚度比較部分,該厚度比較部分計算所述薄膜的所述厚度和所述預定厚度之間的差;和
補償計算部分,該補償計算部分根據所述差控制所述至少一個快門,以被打開或遮蔽。
10.如權利要求9所述的薄膜沉積裝置,其中所述補償計算部分在所述薄膜的所述厚度大于所述預定厚度時遮蔽面向所述薄膜的所述至少一個快門,并在所述預定厚度大于所述薄膜的所述厚度時打開面向所述薄膜的所述至少一個快門。
11.一種薄膜沉積裝置,包括:
沉積源,該沉積源包括多個噴嘴,該多個噴嘴噴射沉積物質以便在基板的一個表面上形成薄膜并且該多個噴嘴沿平行于所述基板的長側或短側的第一方向布置;和
至少一個快門,該至少一個快門通過打開或遮蔽所述沉積物質的噴射通道的至少一部分而控制所述沉積物質的噴射區域,
其中所述至少一個快門被合并到所述多個噴嘴的每個中,并控制所述多個噴嘴的噴射量。
12.一種薄膜沉積裝置,包括:
沉積源,該沉積源包括至少一個噴嘴,該至少一個噴嘴噴射沉積在基板的表面的沉積物質;和
至少一個快門,該至少一個快門被定位在所述至少一個噴嘴的上方并控制所述沉積物質的噴射區域,
其中所述至少一個快門根據沉積在所述基板的所述表面的所述沉積物質的厚度與所述沉積物質的預定厚度之間的差而被控制,并且
其中所述至少一個噴嘴被成形為沿平行于所述基板的長側或短側的第一方向延長的狹縫,并且所述至少一個快門被合并到所述至少一個噴嘴的每個中,并控制所述至少一個噴嘴的噴射量。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





