[發明專利]一種可提高成像質量的TDI-CCD像元結構無效
| 申請號： | 201310384700.0 | 申請日： | 2013-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN103489886A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 周剛;周九飛;趙嘉鑫;徐正平;陳志超 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01L27/148 | 分類號： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人： | 張偉 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 成像 質量 tdi ccd 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種可提高成像質量的TDI-CCD像元結構，其特征在于，該像元結構上的感光區域滿足：
該感光區域TDI方向上的寬度小于或等于像元結構TDI方向上的寬度的25%。
2.根據權利要求1所述的可提高成像質量的TDI-CCD像元結構，其特征在于，該感光區域的寬度為TDI方向上的像元結構的長度的12.5%。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
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