1.一種超級(jí)結(jié)器件，超級(jí)結(jié)器件的中間區(qū)域?yàn)殡娏髁鲃?dòng)區(qū)，終端保護(hù)結(jié)構(gòu)環(huán)繞于所述電流流動(dòng)區(qū)的外周；其特征在于：

電流流動(dòng)區(qū)包括多個(gè)交替排列的N型薄層和P型薄層，在所述N型薄層和所述P型薄層的頂部形成有P阱；

所述N型薄層包括第一種N型薄層和第二種N型薄層；

所述第一種N型薄層包括第一高電阻率部分和第一低電阻率部分，所述第一高電阻率部分為所述第一種N型薄層的中間部分，所述第一低電阻率部分位于所述第一高電阻率部分的兩側(cè)且和鄰近的所述P型薄層相接觸；

所述第一種N型薄層和其鄰近的所述P型薄層的電荷平衡，且所述第一種N型薄層的N型載流子數(shù)和所述P型薄層的P型載流子數(shù)的差值要小于等于所述第一種N型薄層的N型載流子數(shù)的10%、以及小于等于所述P型薄層的P型載流子數(shù)的10%；所述N型薄層和所述P型薄層之間連接反偏電壓時(shí)，第一種N型薄層和其鄰近的所述P型薄層之間能互相完全橫向耗盡或非完全橫向耗盡，非完全橫向耗盡時(shí)所述第一種N型薄層或所述P型薄層的未被橫向耗盡的載流子數(shù)不超過所述第一種N型薄層劑量的10%、以及不超過所述P型薄層劑量的10%；

所述第二種N型薄層包括第二高電阻率部分和第二低電阻率部分，所述第二高電阻率部分為所述第二種N型薄層的中間部分，所述第二低電阻率部分位于所述第二高電阻率部分的兩側(cè)且和鄰近的所述P型薄層相接觸；所述第二高電阻率部分和所述第二低電阻率部分的電阻率之比大于5:1；所述第一高電阻率部分和所述第二高電阻率部分的電阻率相同，所述第一低電阻率部分和所述第二低電阻率部分的電阻率相同，所述第二高電阻率部分的寬度大于所述第一高電阻率部分的寬度；

所述第二種N型薄層和其鄰近的所述P型薄層的電荷不平衡，所述N型薄層和所述P型薄層之間連接反偏電壓的條件下、所述第二低電阻率部分能被鄰近的所述P型薄層完全橫向耗盡，所述第二高電阻率部分不能被所述P型薄層完全橫向耗盡，所述第二高電阻率部分的未被所述P型薄層橫向耗盡的部分和所述P阱之間形成縱向耗盡；在反偏電壓增加時(shí)，所述P阱對(duì)所述第二高電阻率部分的縱向耗盡的深度增加。

2.如權(quán)利要求1所述的超級(jí)結(jié)器件，其特征在于：所述超級(jí)結(jié)器件為超級(jí)結(jié)MOSFET器件，在各所述N型薄層的頂部形成有穿過所述P阱的柵溝槽，在所述柵溝槽的底部表面和側(cè)面形成有柵介質(zhì)層、在柵介質(zhì)層表面形成有填充所述柵溝槽的多晶硅柵，被所述多晶硅柵所覆蓋的所述P阱側(cè)面用于形成縱向溝道，所述縱向溝道的正下方的所述N型薄層為溝道電流分散區(qū)；所述第一種N型薄層的所述溝道電流分散區(qū)位于所述第一低電阻率部分；

所述第二種N型薄層的所述溝道電流分散區(qū)都位于所述第二低電阻率部分；或者所述第二種N型薄層的所述溝道電流分散區(qū)都位于所述第二高電阻率部分；或者所述第二種N型薄層的所述溝道電流分散區(qū)部分位于所述第二高電阻率部分、部分位于所述第二低電阻率部分。

3.如權(quán)利要求2所述的超級(jí)結(jié)器件，其特征在于：在所述第一種N型薄層頂部的所述柵溝槽的兩側(cè)的所述P阱頂部都形成有由N+區(qū)組成的源區(qū)；

在所述第二種N型薄層頂部的所述柵溝槽的兩側(cè)的所述P阱頂部都形成有由N+區(qū)組成的源區(qū)；或者，在所述第二種N型薄層頂部的所述柵溝槽的一側(cè)的所述P阱頂部形成有由N+區(qū)組成的源區(qū)、所述柵溝槽的另一側(cè)的所述P阱頂部未形成有由N+區(qū)組成的源區(qū)；或者，在所述第二種N型薄層頂部的所述柵溝槽的兩側(cè)的所述P阱頂部都未形成有由N+區(qū)組成的源區(qū)。

4.如權(quán)利要求1所述的超級(jí)結(jié)器件，其特征在于：在俯視面上，所述第二種N型薄層的形狀和所述第一種N型薄層的形狀相同或者不同。

5.如權(quán)利要求1所述的超級(jí)結(jié)器件，其特征在于：在俯視面上，所述第二種N型薄層在所述電流流動(dòng)區(qū)中呈均勻分布或不均勻分布。

6.如權(quán)利要求1所述的超級(jí)結(jié)器件，其特征在于：所述第二種N型薄層的分布區(qū)域不和所述終端保護(hù)結(jié)構(gòu)鄰接。