技術領域

本發明涉及蝕刻技術領域，尤其涉及一種閃存的存儲單元開口的蝕刻方法。

背景技術

耦合率（Coupling?Ratio，CR）是閃存存儲器的重要參數之一，直接影響編程/擦除速度等器件性能。因此，獲得一個相對穩定的CR至關重要。然而在65nm及以下節點NOR閃存存儲器的制作工藝中，采用蝕刻來控制存儲單元開口（cell?open）的高度，而存儲單元開口的高度的穩定性直接影響CR的穩定性。

由于工藝條件的波動，會造成蝕刻厚度的不穩定，這些波動的影響主要來自以下三個方面：不同批次之間（lot-to-lot）、不同晶圓之間（wafer-to-wafer）以及晶圓內不同位置（within?wafer）之間，其中，來自lot-to-lot之間的波動尤為突出，而且這些波動又是進行多次蝕刻的疊加結果，對于厚度的波動性影響更加劇烈，從而造成CR的均勻性很差。

因此，在實際工藝生產中，蝕刻高度的穩定性是至關重要的。目前業界無論是濕法刻蝕（wet?etch）還是干法刻蝕（dry?etch），通常采用固定工藝時間的方法進行蝕刻，這樣不同批次之間的蝕刻高度偏差大，得不到調整，而且由于進行多次蝕刻，累加的蝕刻高度也會造成較大誤差，從而造成了蝕刻高度的不穩定性，從而影響CR的穩定性。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提出一種閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，能夠提高蝕刻厚度的穩定性。

本發明實施例公開了一種閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，包括：

第一蝕刻步驟，測量所述存儲單元開口的第一高度，根據所述第一高度、第一蝕刻目標高度和第一蝕刻速率計算第一蝕刻時間，然后根據所述第一蝕刻時間進行第一蝕刻；

第二蝕刻步驟，測量所述存儲單元開口經過所述第一蝕刻后的第二高度，根據所述第二高度、第二蝕刻目標高度和第二蝕刻速率計算第二蝕刻時間，然后根據所述第二蝕刻時間進行第二蝕刻。

優選地，所述第一蝕刻為濕法蝕刻。

優選地，所述濕法蝕刻的腐蝕液為氫氟酸和氟化氫銨的混合液。

優選地，所述第二蝕刻為干法蝕刻。

優選地，所述干法蝕刻為反應離子刻蝕。

優選地，所述閃存為NOR閃存。

優選地，所述閃存為65nm及以下節點NOR閃存。

優選地，所述存儲單元開口的材料為二氧化硅_。

本發明通過在第一蝕刻和第二蝕刻前分別測量閃存的存儲單元開口的高度，然后根據目標高度和蝕刻速率計算出蝕刻時間，避免了多次蝕刻的疊加結果所造成的影響，提高蝕刻厚度的穩定性。

附圖說明

圖1是本發明實施例的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法的流程圖；

圖2a是本發明實施例的閃存的存儲單元開口經過化學機械平坦化后的結構示意圖；

圖2b是本發明實施例的閃存的存儲單元開口經過第一蝕刻后的結構示意圖；

圖2c是本發明實施例的閃存的存儲單元開口經過第二蝕刻后的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本發明的技術方案。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部內容。

圖1是本發明實施例的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法的流程圖；圖2a是本發明實施例的閃存的存儲單元開口經過化學機械平坦化后的結構示意圖；圖2b是本發明實施例的閃存的存儲單元開口經過第一蝕刻后的結構示意圖；圖2c是本發明實施例的閃存的存儲單元開口經過第二蝕刻后的結構示意圖。

本發明實施例提供一種閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，蝕刻為用于對閃存的存儲單元開口進行的蝕刻。如圖2a、圖2b和圖2c所示，該閃存包含存儲單元開口21、浮柵22、淺溝道隔離層（STI）23和隧道氧化層24。優選地，所述閃存為NOR閃存，進一步地，所述閃存可以為65nm及以下節點NOR閃存。所述存儲單元開口的材料可以為二氧化硅。如圖1所示，該閃存的存儲單元開口的蝕刻方法包括：

第一蝕刻步驟S110，測量所述存儲單元開口的第一高度，根據所述第一高度、第一蝕刻目標高度和第一蝕刻速率計算第一蝕刻時間，然后根據所述第一蝕刻時間進行第一蝕刻。