[發(fā)明專利]一種閃存的存儲單元開口的蝕刻方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310370318.4 | 申請日： | 2013-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN104425298A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 于法波;馮駿 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 閃存 存儲 單元 開口 蝕刻 方法 | ||
1.一種閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，其特征在于，包括：
第一蝕刻步驟，測量所述存儲單元開口的第一高度，根據(jù)所述第一高度、第一蝕刻目標(biāo)高度和第一蝕刻速率計(jì)算第一蝕刻時(shí)間，然后根據(jù)所述第一蝕刻時(shí)間進(jìn)行第一蝕刻；
第二蝕刻步驟，測量所述存儲單元開口經(jīng)過所述第一蝕刻后的第二高度，根據(jù)所述第二高度、第二蝕刻目標(biāo)高度和第二蝕刻速率計(jì)算第二蝕刻時(shí)間，然后根據(jù)所述第二蝕刻時(shí)間進(jìn)行第二蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，其特征在于，所述第一蝕刻為濕法蝕刻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，其特征在于，所述濕法蝕刻的腐蝕液為氫氟酸和氟化氫銨的混合液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，其特征在于，所述第二蝕刻為干法蝕刻。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，其特征在于，所述干法蝕刻為反應(yīng)離子刻蝕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，其特征在于，所述閃存為NOR閃存。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，其特征在于，所述閃存為65nm及以下節(jié)點(diǎn)NOR閃存。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存的存儲單元開口的蝕刻方法，其特征在于，所述存儲單元開口的材料為二氧化硅。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
