本分案申請(qǐng)是基于申請(qǐng)?zhí)枮?00480009675.7（國(guó)際申請(qǐng)?zhí)枮镻CT/IB2004/002704），申請(qǐng)日為2004年3月29日，發(fā)明名稱為“包括用于沉浸光刻裝置的真空清除的環(huán)境系統(tǒng)”的中國(guó)專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

相關(guān)申請(qǐng)

本申請(qǐng)要求2003年4月10日提交、名稱為“VACUUM?RING?SYSTEM?AND?WICK?RING?SYSTEM?FOR?IMMERSION?LITHOGRAPHY?METHOD?AND?DEVICE?FOR?CONTROLLING?THERMAL?DISTORION?IN?ELEMENTS?OF?A?LITHOGRAPHY?SYSTEM（用于控制光刻系統(tǒng)元件中熱變形的沉浸光刻方法和設(shè)備的真空環(huán)形系統(tǒng)和油繩環(huán)形系統(tǒng)）”的臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)60/462,112和2003年7月1日提交、名稱為“FLUID?CONTROL?SYSTEM?FOR?IMMERSION?LITHOGRAPHY?TOOL（沉浸光刻工具的流體控制系統(tǒng)）”的臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)60/484,476號(hào)的優(yōu)先權(quán)益。只要允許，臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)60/462,112和60/484,476的內(nèi)容在此引用作為參考。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體處理過程中，光刻曝光裝置通常用于將圖像從標(biāo)線片傳送到半導(dǎo)體晶片上。典型的曝光裝置包括照明源，定位標(biāo)線片的標(biāo)線片載物臺(tái)裝配，光學(xué)組件，定位半導(dǎo)體晶片的晶片載物臺(tái)裝配，以及精確監(jiān)控標(biāo)線片和晶片位置的測(cè)量系統(tǒng)。

沉浸光刻系統(tǒng)利用完全充滿光學(xué)組件與晶片之間間隙的一層浸液。晶片在典型的光刻系統(tǒng)中快速移動(dòng)并且它將期望將沉浸流體從間隙中帶走。從間隙中漏出的該沉浸流體可能干擾光刻系統(tǒng)其他組件的操作。例如，沉浸流體及其蒸汽可能干擾監(jiān)控晶片位置的測(cè)量系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明涉及一種控制光學(xué)組件與由器件載物臺(tái)保持的器件之間的間隙中環(huán)境的環(huán)境系統(tǒng)。該環(huán)境系統(tǒng)包括流體屏障和沉浸流體系統(tǒng)。流體屏障位于器件附近并且環(huán)繞間隙。沉浸流體系統(tǒng)輸送充滿間隙的沉浸流體。

在一種實(shí)施方案中，沉浸流體系統(tǒng)收集直接位于流體屏障以及器件和器件載物臺(tái)中至少一個(gè)之間的沉浸流體。在該實(shí)施方案中，流體屏障包括位于器件附近的清除入口，并且沉浸流體系統(tǒng)包括與清除入口流體連通的低壓源。另外，流體屏障可以限制并包含沉浸流體以及來自沉浸流體的任何蒸汽于間隙附近的區(qū)域中。

在另一種實(shí)施方案中，環(huán)境系統(tǒng)包括在流體屏障與器件之間引導(dǎo)軸承流體以相對(duì)于器件支撐流體屏障的軸承流體源。在該實(shí)施方案中，流體屏障包括位于器件附近的軸承出口。此外，軸承出口與軸承流體源流體連通。

另外，環(huán)境系統(tǒng)可以包括使得間隙中的壓力近似等于流體屏障外部壓力的均壓器。在一種實(shí)施方案中，例如，均壓器是延伸通過流體屏障的通道。

而且，器件載物臺(tái)可以包括與器件的器件暴露表面處于近似相同平面中的載物臺(tái)表面。作為實(shí)例，器件載物臺(tái)可以包括保持器件的器件固定器，限定載物臺(tái)表面的擋板，以及移動(dòng)器件固定器和擋板中一個(gè)使得器件暴露表面與載物臺(tái)表面近似處于相同平面中的移動(dòng)器組件。在一種實(shí)施方案中，移動(dòng)器組件相對(duì)于器件和器件固定器移動(dòng)擋板。在另一種實(shí)施方案中，移動(dòng)器組件相對(duì)于擋板移動(dòng)器件固定器和器件。

本發(fā)明也涉及一種曝光裝置，一種晶片，一種器件，一種控制間隙中環(huán)境的方法，一種制造曝光裝置的方法，一種制造器件的方法，以及一種制造晶片的方法。

附圖說明

圖1是具有本發(fā)明特征的曝光裝置的側(cè)面說明；

圖2A是在圖1的線2A-2A上獲取的剖視圖；

圖2B是在圖2A的線2B-2B上獲取的剖視圖；

圖2C是具有本發(fā)明特征的容器框架的透視圖；

圖2D是在圖2B的線2D-2D上獲取的放大詳細(xì)視圖；

圖2E是晶片載物臺(tái)相對(duì)于光學(xué)組件移動(dòng)的圖2A的曝光裝置部分的說明；

圖3是具有本發(fā)明特征的噴射器/清除源的側(cè)面說明；

圖4A是流體屏障的另一種實(shí)施方案的一部分的放大詳細(xì)視圖；

圖4B是流體屏障的再一種實(shí)施方案的一部分的放大詳細(xì)視圖；

圖4C是流體屏障的又一種實(shí)施方案的一部分的放大詳細(xì)視圖；

圖5A是曝光裝置的另一種實(shí)施方案的一部分的剖視圖；

圖5B是在圖5A中線5B-5B上獲取的放大詳細(xì)視圖；

圖6是具有本發(fā)明特征的器件載物臺(tái)的一種實(shí)施方案的透視圖；

圖7A是具有本發(fā)明特征的器件載物臺(tái)的再一種實(shí)施方案的透視圖；