技術領域

本發明涉及電子元件領域，特別是涉及一種多層陶瓷電容器及其制備方法。

背景技術

為降低原材料成本，目前多層陶瓷電容器已普遍賤金屬化，其內電極材料主要采用鎳。同屬賤金屬的銅由于其高導電率，也被采用作為內電極材料。

在多層陶瓷電容器的制備過程中，需要將燒結后得到的陶瓷主體進行倒角研磨，使陶瓷主體的棱角圓滑，以便于在陶瓷主體上附上外電極及利于使內電極與外電極更好地連接。研磨所用的媒介，常用的有氧化鋁球、石英砂和氧化鋁粉等。倒角研磨后要進行電容器的分選，即將電容器從研磨媒介以及電容器的陶瓷碎屑中分離出來。當電容器大小與陶瓷碎屑以及各研磨媒介差異較大時，用不同目數的篩網就可以完成分選；當電容器尺寸規格較小（如EIA標準尺寸規格0402(長0.04英寸、寬0.02英寸)、0201(長0.02英寸、寬0.01英寸)）時，其大小與陶瓷碎屑以及較小的研磨媒介（如石英砂）接近，用篩網無法分選。在這種情況下，對于鎳內電極多層陶瓷電容器，可以用永久磁鐵將電容器從研磨媒介中吸出，但是鎳內電極多層陶瓷電容器的等效串聯電阻和高頻損耗較高，難以滿足高頻領域的性能要求；對于銅內電極多層陶瓷電容器，由于銅不能被磁鐵所吸引，則無法分選而需要靠肉眼將雜質挑出，致使生產周期延長以及人工成本增加。

發明內容

基于此，有必要提供一種分選較為方便、等效串聯電阻和高頻損耗較低的多層陶瓷電容器。

進一步，提供一種多層陶瓷電容器的制備方法。

一種多層陶瓷電容器，包括陶瓷主體和分別設置于所述陶瓷主體相對兩端的兩個外電極，所述陶瓷主體包括容量形成層和層疊于所述容量形成層上的附加層，其中，

所述容量形成層包括多個交替層疊的第一容量單元和第二容量單元，所述第一容量單元包括第一容量介電層和層疊于所述第一容量介電層上的第一容量電極層，所述第二容量單元包括第二容量介電層和層疊于所述第二容量介電層上的第二容量電極層；

所述附加層包括多個層疊的附加單元，每個附加單元包括附加介電層和層疊于所述附加介電層上的附加電極層；

所述第一容量電極層和第二容量電極層為銅電極層，所述附加電極層為鎳電極層，所述附加電極層與所述第一容量電極層和第二容量電極層中的一個相鄰，且所述附加電極層在所述容量形成層上的投影落入所述相鄰的第一容量電極層或第二容量電極層上；

一個所述外電極與所述第一容量電極層連接，另一個所述外電極與所述第二容量電極層連接。

在其中一個實施例中，所述附加層為兩個，所述兩個附加層分別層疊于所述容量形成層相對的兩個表面上。

在其中一個實施例中，所述第一容量電極層與所述第二容量電極層在長度方向上部分相對，在寬度方向上完全正對。

在其中一個實施例中，所述第一容量電極層和第二容量電極層的厚度為1～2微米。

在其中一個實施例中，所述附加電極層的厚度為2～3微米。

在其中一個實施例中，所述附加單元的數量為2～3個。

在其中一個實施例中，還包括分別設置于所述陶瓷主體相對的兩個表面上的兩個保護層。

在其中一個實施例中，所述第一容量介電層和第二容量介電層的厚度為5～300微米。

一種多層陶瓷電容器，包括陶瓷主體和分別設置于所述陶瓷主體相對的兩端的兩個外電極，所述陶瓷主體包括容量形成層和層疊于所述容量形成層上的附加層，其中，

所述容量形成層包括多個交替層疊的第一容量單元和第二容量單元，所述第一容量單元包括第一容量介電層和層疊于所述第一容量介電層上的第一容量電極層，所述第二容量單元包括第二容量介電層和層疊于所述第二容量介電層上的第二容量電極層，所述第二容量電極層包括間隔設置的第一電極部和第二電極部，所述第一電極部與一個所述外電極連接，所述第二電極部與另一個所述外電極連接；

所述附加層包括多個層疊的附加單元，每個附加單元包括附加介電層和層疊于所述附加介電層上的附加電極層，所述附加電極層包括間隔設置的第一附加電極部和第二附加電極部，所述附加電極層與其中一個所述第二容量電極層相鄰，且所述第一附加電極部在所述容量形成層上的投影落入所述第一電極部上，所述第二附加電極部在所述容量形成層上的投影落入所述第二電極部上；

所述第一容量電極層和第二容量電極層為銅電極層，所述附加電極層為鎳電極層。

一種多層陶瓷電容器的制備方法，包括如下步驟：

制備多個陶瓷膜；