1.一種柱狀結構CdZnTe薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下過程和步驟：

（a）CdZnTe單晶升華源的準備：將高純Cd、Zn、Te放入石英管中，在高真空下，采用移動加熱法生長出質量好、成分分布相對均勻的CdZnTe單晶體，其中鋅的摩爾含量為5~20%，將生長好的晶體切片作為升華源；

（b）襯底預處理：采用鍍有透明導電層FTO的玻璃或普通鈉鈣玻璃作為襯底，將襯底用去離子水、丙酮和乙醇分別超聲清洗5～15分鐘，洗去表面的雜質與有機物，烘干后放入近空間升華反應室內；

（c）CdZnTe薄膜生長過程：開機械泵抽真空，將升華腔內氣壓抽至3Pa以下后關閉機械泵，通入氬氣將氣壓調至100~500Pa，關閉氣瓶；將升華源及襯底分別加熱到500~650℃和400~550℃；生長30min~180min后，再通入氬氣將氣壓調至500~1000Pa，繼續生長30min~60min后，關閉加熱源，開機械泵抽真空至氣壓為10Pa以下，關機械泵，待樣品冷卻至室溫，取出CdZnTe薄膜樣品；

（d）CdZnTe薄膜拋光、腐蝕及退火：采用0.03um顆粒度氧化鋁，手工拋光制備好的樣品；再將樣品在CdCl2氛圍中300~450°C退火20~60分鐘；配制濃度為0.1~0.5%的溴甲醇溶液，將退過火的樣品浸入溶液腐蝕10~60s，獲得柱狀結構的CdZnTe薄膜。

2.一種柱狀結構CdZnTe薄膜，采用如權利要求1所述的方法，其特征在于，薄膜的厚度為100~500mm。