技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別是涉及一種化學氣相沉積設備保養后復機方法。

背景技術

化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition，簡稱CVD)，是大規模集成電路(LSI)和超大規模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一，CVD工藝主要用于半導體薄膜的制備。CVD設備大致可以分為以下幾類：低壓化學氣相沉積(low?pressure?chemical?vapor?deposition，簡稱LPCVD)、常壓化學氣相沉積(atmospheric?pressure?chemical?vapor?deposition，簡稱APCVD)、等離子體增強化學氣相沉積法(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition，簡稱PECVD)和金屬有機化學氣相沉積法(metal-organic?chemical?vapor?deposition，簡稱MOCVD)。LPCVD技術因為可以調高沉積薄膜的質量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優點，已經成為制備半導體薄膜的主要方法。

微機電系統(Micro-Electro-Mechanical?Systems，簡稱MEMS)技術是一個全新的技術領域和產業，主要包括微型機構、微型傳感器、微型執行器和相應的處理電路等幾部分。MEMS技術具有高精度、高效能等優點，所以，現有技術將MEMS技術應用于LPCVD淀積工藝，得到了MEMS?LPCVD?Furnace(爐管)工藝，主要用于淀積鍺或鍺化硅，以提高低壓化學氣相沉積工藝的效率與穩定性。

圖1為現有技術中微機電系統低壓化學氣相沉積設備的示意圖，低壓化學氣相沉積設備100包括石英管110、碳化硅內管120、碳化硅晶舟130、進氣管(Nozzle)140、熱電偶150以及基座160。碳化硅內管120位于石英管110內，碳化硅晶舟130用于放置晶圓131，并位于碳化硅內管120內。熱電偶150位于碳化硅內管120和石英管110之間，基座160用于支撐石英管110、碳化硅內管120以及碳化硅晶舟130，進氣管140用于向晶圓131提供反應氣體，以在晶圓131上生長沉積薄膜。

然而，在晶圓131上生長沉積薄膜時，由于在原理上不能使所有的反應氣體在晶圓131上反應，所以，在低壓化學氣相沉積設備100的部件(例如石英管110、碳化硅內管120、碳化硅晶舟130、進氣管140、熱電偶150以及基座160等)上會附著副產物。長期生產后，該副產物會以微粒(particle)的形式影響薄膜的生長，妨礙良好品質的薄膜的形成。其中，石英管110、進氣管140以及熱電偶150等石英部件上的副產物更容易產生剝落缺陷(peeling?defect)，從而產生微粒。為此，必須定期的對低壓化學氣相沉積設備100進行保養(Preventive?Maintenance，簡稱PM)。

由于MEMS?LPCVD?Furnace是一門新興的技術，因此業界沒有專門的一個保養后復機(recover)標準或者流程。因此，保養后順利的復機并保證微粒處于可控范圍成為一個重要的課題。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種化學氣相沉積設備保養后復機方法，能夠保正化學氣相沉積設備進行保養并復機后，化學氣相沉積設備中的微粒處于可控范圍。

為解決上述技術問題，本發明提供一種化學氣相沉積設備保養后復機方法包括：

步驟一：將虛擬晶圓放入所述化學氣相沉積設備的反應腔中；

步驟二：對所述虛擬晶圓淀積一硅層；

步驟三：對所述虛擬晶圓淀積一鍺化硅層。

進一步的，在所述步驟一之前，還包括：更換所述化學氣相沉積設備的石英部件。

進一步的，在所述步驟一之前，還包括：清洗所述化學氣相沉積設備的碳化硅部件以及金屬部件。

進一步的，在所述步驟三之后，還包括：對所述虛擬晶圓淀積一鍺層。

進一步的，在所述對所述虛擬晶圓淀積一鍺層的步驟中，所述化學氣相沉積設備的反應腔的溫度變化小于等于100℃。

進一步的，在所述對所述虛擬晶圓淀積一鍺層的步驟中，對所述虛擬晶圓淀積所述鍺層的程式與對產品晶圓淀積鍺的程式相同。

進一步的，所述鍺層的厚度為2μm～5μm。

進一步的，在所述步驟二中，所述化學氣相沉積設備的反應腔的溫度變化小于等于100℃。