1.一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，包括：

步驟一：將虛擬晶圓放入所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔中；

步驟二：對(duì)所述虛擬晶圓淀積一硅層；

步驟三：對(duì)所述虛擬晶圓淀積一鍺化硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述步驟一之前，還包括：更換所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備的石英部件。

3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述步驟一之前，還包括：清洗所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備的碳化硅部件以及金屬部件。

4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述步驟三之后，還包括：對(duì)所述虛擬晶圓淀積一鍺層。

5.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述對(duì)所述虛擬晶圓淀積一鍺層的步驟中，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔的溫度變化小于等于100℃。

6.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述對(duì)所述虛擬晶圓淀積一鍺層的步驟中，對(duì)所述虛擬晶圓淀積所述鍺層的程式與對(duì)產(chǎn)品晶圓淀積鍺的程式相同。

7.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，所述鍺層的厚度為2μm～5μm。

8.如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述步驟二中，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔的溫度變化小于等于100℃。

9.如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述步驟二中，對(duì)所述虛擬晶圓淀積所述硅層的程式與對(duì)產(chǎn)品晶圓淀積硅薄膜的程式相同。

10.如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，所述硅層的厚度為0.2μm～1μm。

11.如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述步驟三中，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔的溫度變化小于等于100℃。

12.如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，在所述步驟三中，對(duì)所述虛擬晶圓淀積所述鍺化硅層的程式與對(duì)產(chǎn)品晶圓淀積鍺化硅薄膜的程式相同。

13.如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的化學(xué)氣相沉積設(shè)備保養(yǎng)后復(fù)機(jī)方法，其特征在于，所述鍺化硅層的厚度為5μm～30μm。