【技術領域】

本發明是關于半導體制程領域，特別是關于一種WSI復合柵的制造方法。

【背景技術】

難熔金屬硅化物（WSI）制程廣泛用于低端邏輯和模擬產品中，通過在多晶硅上淀積難熔金屬硅化物，經退火工藝后形成金屬硅化物復合柵結構，降低多晶硅柵的電阻率從而提高器件的速度。

如圖1所示，其顯示現有的形成WSI硅柵的制程的部分步驟圖，如圖1所示，現有的WSI硅柵的制造方法流程通常是先形成柵氧結構，然后沉淀多晶硅，經過預清洗之后，然后沉淀WSI,之后進行WSI刻蝕和多晶硅刻蝕形成WSI復合柵極。

如圖2所示，其顯示現有的WSI硅柵的制程的WSI刻蝕和多晶硅刻蝕的步驟圖。如圖2所示，現有的WSI刻蝕和多晶硅刻蝕的步驟通常是先進行WSI主刻蝕，然后進行WSI過刻蝕，然后進行多晶硅主刻蝕和多晶硅過刻蝕，現有的刻蝕在進行完多晶硅的過刻蝕之后，通常還包括使用氧氣流進行腔體壁清洗的步驟。如圖3所示，現有的這種WSI硅柵的刻蝕方法，形成的WSI硅柵通常會出現WSI殘留缺陷，影響產品的良率。

因此，需要提供一種改進的方法來克服現有技術的前述缺陷。

【發明內容】

本發明的目的在于提供一種WSI復合柵的制造方法。

為達成前述目的，本發明一種WSI復合柵的制造方法，其包括：

在硅片上先形成柵氧層結構的步驟，其中柵氧層的厚度為123埃

在形成柵氧層后的硅片上沉淀多晶硅（poly）的步驟，其中沉淀多晶硅采用化學氣相沉積（CVD）的方法沉積，沉積的厚度為1500埃

對硅片進行預清洗的步驟；

在沉積過多晶硅的硅片上沉積難熔金屬硅化物（WSI）的步驟，其中沉積WSI采用化學氣相沉積（CVD）的方法沉積，沉積的厚度為1200埃

進行WSI刻蝕的步驟；

進行多晶硅刻蝕形成WSI復合柵極的步驟；

不進行氧氣處理直接形成WSI復合柵極側壁氧化層的步驟。

根據本發明的一個實施例，其中WSI刻蝕和多晶硅刻蝕是采用的干法刻蝕，使用的設備為等離子體刻蝕機。

根據本發明的一個實施例，其中所述進行WSI刻蝕的步驟進一步包括：

進行WSI主刻蝕的步驟，其中進行WSI主刻蝕的參數設置為腔室壓力為6兆托（mt），電極源端功率為400瓦（w），電極偏壓端功率為80瓦（w），通入80標況毫升每分流量的氯氣（CL₂）和25標況毫升每分流量的四氟化碳（CF₄）。

進行WSI過刻蝕的步驟，其中進行WSI過刻蝕的參數設置為腔室壓力為6兆托（mt），電極源端功率為400瓦（w），電極偏壓端功率為80瓦（w），通入80標況毫升每分流量的氯氣（CL₂）和35標況毫升每分流量的四氟化碳（CF₄）。

根據本發明的一個實施例，其中進行多晶硅刻蝕形成WSI復合柵極的步驟進一步包括：

進行多晶硅主刻蝕的步驟，其中進行多晶硅主刻蝕的參數設置為腔室壓力為8兆托（mt），電極源端功率為220瓦（w），通入50標況毫升/分流量的氯氣（CL₂）和125標況毫升/分流量的溴化氫（HBr）。

進行多晶硅過刻蝕的步驟，其中進行多晶硅過刻蝕的參數設置為腔室壓力為60兆托（mt），電極源端功率為220瓦（w），通入150標況毫升/分流量的氦氣（HE）和100標況毫升/分流量的溴化氫（HBr）。

本發明的WSI復合柵的制造方法，在進行完多晶硅刻蝕之后不進行氧氣流清洗的步驟，直接進行硅柵側壁氧化層的步驟，能夠有效避免WSI殘留的缺陷，提高產品的良率。

【附圖說明】

圖1是形成WSI硅柵的制程的部分步驟圖。

圖2是現有的WSI硅柵的制程的WSI刻蝕和多晶硅刻蝕的步驟圖。

圖3是現有的WSI硅柵的刻蝕方法形成的WSI硅柵出現WSI殘留缺陷的顯微圖片。

圖4是本發明的WSI硅柵的制造方法流程圖。

圖5是本發明的WSI硅柵的制程的WSI刻蝕和多晶硅刻蝕的步驟圖。

圖6為采用本發明的WSI刻蝕方法之后的產品缺陷趨勢圖。

【具體實施方式】

此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本發明至少一個實現方式中的特定特征、結構或特性。在本說明書中不同地方出現的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。