1.一種WSI復合柵的制造方法，其包括：

在硅片上先形成柵氧層結構的步驟，其中柵氧層的厚度為123埃

在形成柵氧層后的硅片上沉淀多晶硅（poly）的步驟，其中沉淀多晶硅采用化學氣相沉積（CVD）的方法沉積，沉積的厚度為1500埃

對硅片進行預清洗的步驟；

在沉積過多晶硅的硅片上沉積難熔金屬硅化物（WSI）的步驟，其中沉積WSI采用化學氣相沉積（CVD）的方法沉積，沉積的厚度為1200埃

進行WSI刻蝕的步驟；

進行多晶硅刻蝕形成WSI復合柵極的步驟；

不進行氧氣處理直接形成WSI復合柵極側壁氧化層的步驟。

2.如權利要求1所述的方法，其中WSI刻蝕和多晶硅刻蝕是采用的干法刻蝕，使用的設備為等離子體刻蝕機。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述進行WSI刻蝕的步驟進一步包括：

進行WSI主刻蝕的步驟，其中進行WSI主刻蝕的參數設置為腔室壓力為6兆托（mt），電極源端功率為400瓦（w），電極偏壓端功率為80瓦（w），通入80標況毫升每分流量的氯氣（CL₂）和25標況毫升每分流量的四氟化碳（CF₄）。

進行WSI過刻蝕的步驟，其中進行WSI過刻蝕的參數設置為腔室壓力為6兆托（mt），電極源端功率為400瓦（w），電極偏壓端功率為80瓦（w），通入80標況毫升每分流量的氯氣（CL₂）和35標況毫升每分流量的四氟化碳（CF₄）。

4.如權利要求2所述的方法，其中進行多晶硅刻蝕形成WSI復合柵極的步驟進一步包括：

進行多晶硅主刻蝕的步驟，其中進行多晶硅主刻蝕的參數設置為腔室壓力為8兆托（mt），電極源端功率為220瓦（w），通入50標況毫升/分流量的氯氣（CL₂）和125標況毫升/分流量的溴化氫（HBr）。

進行多晶硅過刻蝕的步驟，其中進行多晶硅過刻蝕的參數設置為腔室壓力為60兆托（mt），電極源端功率為220瓦（w），通入150標況毫升/分流量的氦氣（HE）和100標況毫升/分流量的溴化氫（HBr）。