技術領域

本發明涉及半導體設備，特別是一種至少可以應用在化學氣相沉積中的反應腔。

背景技術

通常，化學氣相沉積腔例如MOCVD反應腔包括腔體內襯和冷卻腔體。其中，所述腔體內襯套設在所述反應腔內并圍繞反應腔的反應區域，所述冷卻腔體圍繞所述腔體內襯，以便將外部隔離。

在進行反應時，腔體內襯內部的反應區域高溫環境中，以提供需要的反應環境，此外，請參考圖1，現有技術在冷卻腔體2一周的多個位置中設置有多個氣體管道3，沿冷卻腔體2的徑向在冷卻腔體2與腔體內襯1之間的區域通入吹掃氣體，吹掃氣體可以在冷卻腔體2的內壁和腔體內襯1之間的區域中形成相對內襯內部反應區域的5正壓力，防止反應過程中反應區域5中的部分反應氣體進入冷卻腔體2和腔體內襯1之間的空間，以避免由于混入反應氣體而在冷卻腔體2的側壁和腔體內襯1之間形成顆粒沉積。

但是，現有的吹掃氣體是沿腔體2的徑向直接垂直吹向腔體內襯1。腔體內襯1內部為高溫環境的反應區域5，由腔體內襯1向外至冷卻腔體2的方向的溫度逐漸降低，而通入的吹掃氣體通常的溫度為室溫，直接從氣體管道3噴射至腔體內襯1外側壁，如圖1中虛線所示，會造成氣體管道3對應點4的腔體內襯的局部溫度低于其他區域的溫度，從而會在反應區域5靠近腔體內襯1的對應點4處形成氣流場和溫度場的渦旋，導致腔體內襯1內的反應區域5局部氣流場和溫度場不均勻，從而影響反應區域5中的反應的均勻性。

因此，需要對現有的反應腔組件進行改進。

發明內容

本發明的目的在于提供一種反應腔，以至少緩解現有技術中吹掃氣體分布影響反應區域內的反應的均勻性的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種反應腔，包括腔體內襯和冷卻腔體，所述腔體內襯套設在所述反應腔內并圍繞反應腔的反應區域；所述反應腔還包括吹掃結構，所述吹掃結構用于向所述冷卻腔體與所述腔體內襯之間的空間通入吹掃氣體；其特征在于：所述吹掃結構包括從所述冷卻腔體外穿過所述冷卻腔體，延伸到所述冷卻腔體與所述腔體內襯之間的空間的第一進氣管，所述第一進氣管朝向腔體內襯一端具有出氣口，從所述第一進氣管的出氣口到所述腔體內襯面向所述冷卻腔體的表面最短距離的連線方向為第一方向，吹掃氣體從所述出氣口導出的方向為第二方向，所述第一方向與所述第二方向成夾角。

與現有技術相比較，本發明提供的反應腔，由于導出吹掃氣體的第二方向與最短距離的第一方向成夾角，可以延長吹掃氣體擴散路徑，且使得接觸內襯的面積也增大，減少了降溫的效果，從而減少了腔體內襯局部溫度過低的情況發生，能夠形成均勻的氣流場，同時能夠使得腔體內襯與冷卻腔體內壁之間的空間得到保護并且維持平穩，有利于維持反應的正常進行。

附圖說明

圖1為現有技術的反應腔的截面結構示意圖；

圖2為本發明第一實施例的反應腔的截面結構示意圖；

圖3為圖2中的反應腔的局部放大圖；

圖4為本發明另一實施例的反應腔的截面結構示意圖；

圖5為圖4中的反應腔的局部放大圖。

具體實施方式

由背景技術中所記載的內容可知，現有技術的反應腔存在吹掃氣體容易引起腔體內襯局部溫度過低的問題。本發明的核心思想在于，通過改善通入吹掃氣體的管道的出氣口，使得吹掃氣體的出氣方向得到控制，并且擴展出氣范圍，從而可以改變吹掃氣體的分布，較少或避免對襯底局部溫度的影響。

請參考圖2，本發明實施例提供一種反應腔，包括腔體內襯10和冷卻腔體20，所述腔體內襯10套設在所述反應腔內并圍繞反應腔的反應區域101，具體的，所述反應區域101內設置有相對設置的噴淋頭和石墨盤（未圖示），所述腔體內襯10與所述噴淋頭和石墨盤圍城的區域為反應腔的反應區域101，反應腔進行反應時，所述石墨盤被加熱，同時冷卻腔體20中的冷卻部件發揮作用，使得所述反應腔的反應區域101的溫度高于所述冷卻腔體的腔壁溫度。