1.一種反應腔，包括腔體內襯和冷卻腔體，所述腔體內襯套設在所述反應腔內并圍繞反應腔的反應區域；所述反應腔還包括吹掃結構，所述吹掃結構用于向所述冷卻腔體與所述腔體內襯之間的空間通入吹掃氣體；其特征在于：所述吹掃結構包括從所述冷卻腔體外穿過所述冷卻腔體，延伸到所述冷卻腔體與所述腔體內襯之間的空間的第一進氣管，所述第一進氣管朝向腔體內襯一端具有出氣口，從所述第一進氣管的出氣口到所述腔體內襯面向所述冷卻腔體的表面最短距離的連線方向為第一方向，吹掃氣體從所述出氣口導出的方向為第二方向，所述第一方向與所述第二方向成夾角。?

2.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述夾角大于等于45゜。?

3.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述夾角為大于90゜。?

4.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述冷卻腔體為圓筒型腔體，所述內襯為圓筒形，所述第一方向為出氣口指向所述內襯軸心的方向。?

5.如權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述吹掃結構包括多個第一進氣管，所述多個第一進氣管沿所述腔體周向均勻分布。?

6.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述第一進氣管包括沿第一方向延伸的第一管道及位于第一管道端部的氣體導向噴嘴，所述氣體導向噴嘴具有出氣口，所述第一進氣管的出氣口為所述氣體導向噴嘴的出氣口。?

7.如權利要求6所述的反應腔，其特征在于，所述氣體導向噴嘴的出氣口為向外擴張的喇叭狀或臺階狀。?

8.如權利要求5所述的反應腔，其特征在于，所述吹掃結構還包括位于所述冷卻腔體外的勻氣環，所述均環與所述多個第一進氣管連接；所述吹掃氣體先通入所述勻氣環，再經勻氣環分布到所述多個第一進氣管。?

9.如權利要求8所述的反應腔，其特征在于，所述吹掃結構還包括連接于所述均氣環與所述第一進氣管之間的第二進氣管，所述勻氣環、第二進氣管及第一進氣管的內管徑逐漸減小。?

10.如權利要求9所述的反應腔，其特征在于，所述第一進氣管和第二進氣管的材質為不銹鋼。?

11.如權利要求9所述的反應腔，其特征在于，所述第一進氣管、第二進氣管及勻氣環之間為可拆卸式連接。?

12.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述反應腔的反應區域的溫度高于所述冷卻腔體的腔壁溫度。?

13.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述腔體內襯圍繞的區域內設置有相對設置的噴淋頭和石墨盤，所述腔體內襯與所述噴淋頭和石墨盤圍城的區域為反應腔的反應區域，反應腔進行反應時，所述石墨盤被加熱。?

14.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述反應腔為MOCVD反應腔。?

15.如權利要求14所述的反應腔，其特征在于，所述反應腔用于外延沉積GaN材質薄膜。?