[發(fā)明專利]銅銦鎵硒多層薄膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310162904.X | 申請(qǐng)日: | 2013-05-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103280487A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐東;徐永清;葉帥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市亞太興實(shí)業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281 | 代理人: | 彭家恩;彭愿潔 |
| 地址: | 518103 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 銅銦鎵硒 多層 薄膜 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及光伏薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種非真空工藝制備的銅銦鎵硒多層薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)
隨著能源危機(jī)的日益嚴(yán)重,可再生能源的利用越來(lái)越備受關(guān)注。太陽(yáng)能由于清潔、無(wú)污染且取之不盡用之不竭,已成為最具潛力的新型能源。太陽(yáng)能電池,作為太陽(yáng)能一種有效的利用手段,成為太陽(yáng)能技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。而薄膜太陽(yáng)能電池,由于成本和環(huán)保優(yōu)勢(shì)已成為未來(lái)國(guó)際光伏產(chǎn)業(yè)的必然趨勢(shì)。
在過(guò)去的幾十年里,銅銦鎵硒(CuIn1-xGaxSe2,簡(jiǎn)稱CIGS)薄膜由于效率高、無(wú)衰退、抗輻射、壽命長(zhǎng)、成本低廉等特點(diǎn),一直受到光伏研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)的重視和產(chǎn)業(yè)化推進(jìn),其光電轉(zhuǎn)化效率為所有已知薄膜太陽(yáng)能電池中最高。目前,美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室在玻璃襯底上利用共蒸發(fā)三步工藝制備出最高光電轉(zhuǎn)化效率達(dá)到19.9%的電池。此外,CIGS小面積電池效率也創(chuàng)造了新的記錄,達(dá)到了20.1%,與當(dāng)前的主流產(chǎn)品多晶硅薄膜電池的轉(zhuǎn)化效率相差無(wú)幾。CIGS薄膜電池的光電轉(zhuǎn)化效率獲得不斷提高的原因有很多,其中,制備具有梯度分布的能帶結(jié)構(gòu)的CIGS薄膜電池可以有效的改善電池的光電轉(zhuǎn)化效率,這是因?yàn)樘荻饶軒Мa(chǎn)生的電勢(shì)差將光生載流子驅(qū)離高復(fù)合區(qū),從而提高短路電流。研究表明,具有單梯度能帶分布的CIGS薄膜電池的效率比均勻的CIGS薄膜電池的效率要高1~2%;而具有雙梯度能帶分布的CIGS薄膜電池的效率能提高3%左右。
雖然采用共蒸發(fā)三步工藝來(lái)制備CIGS薄膜電池具有很大的優(yōu)勢(shì),但是該工藝屬于真空鍍膜方法,其要求昂貴的真空設(shè)備,造就了高昂的制備成本,不利于CIGS薄膜電池的市場(chǎng)化,且該工藝由于受到真空腔空間的限制,不適合于CIGS薄膜電池的大規(guī)模連續(xù)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。此外,真空方法制備CIGS薄膜的成核溫度較高,不適合在柔性基板特別是聚合物基板上進(jìn)行CIGS薄膜電池的制備。相對(duì)而言,非真空方法是在開(kāi)放的環(huán)境中進(jìn)行,具有設(shè)備和工藝要求簡(jiǎn)單、成本低廉等優(yōu)點(diǎn),還可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)式的卷對(duì)卷(roll-to-roll)制程生產(chǎn),是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)CIGS薄膜的一種較佳方法。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N銅銦鎵硒多層薄膜及其制備方法。
根據(jù)本申請(qǐng)的第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N銅銦鎵硒多層薄膜的制備方法,包括:
配制步驟:配制包含不同Ga/(In+Ga)比例的銅銦鎵硒前驅(qū)溶膠,0.2≤x≤0.4;
涂覆步驟:非真空條件下,按照在從襯底到遠(yuǎn)離襯底的方向上Ga/(In+Ga)比例為先遞減后遞增的方式,將所述銅銦鎵硒前驅(qū)溶膠逐層涂覆到襯底上,得到銅銦鎵硒前驅(qū)薄膜;
生成步驟:對(duì)所述涂覆步驟最終得到的銅銦鎵硒前驅(qū)薄膜進(jìn)行熱處理,冷卻后即制成銅銦鎵硒多層薄膜。
一種實(shí)施例中,所述配制步驟包括:
將CuSe納米顆粒和(In1-xGax)2Se3納米顆粒分別均勻分散在分散劑中,根據(jù)需要的化學(xué)計(jì)量比進(jìn)行混合,得到具有不同Ga/(In+Ga)比例的銅銦鎵硒前驅(qū)溶膠。
另一種實(shí)施例中,所述銅銦鎵硒前驅(qū)溶膠中Cu離子濃度控制在0.2摩爾/升~1摩爾/升;所述分散劑選自甲醇、乙醇、環(huán)己烷、甲苯、二甲苯和己硫醇中的任一種;所述CuSe納米顆粒和(In1-xGax)2Se3納米顆粒的粒徑小于等于50納米。
另一種實(shí)施例中,在所述涂覆步驟中,每進(jìn)行一層涂覆后,對(duì)涂覆得到的銅銦鎵硒前驅(qū)薄膜進(jìn)行烘干;
所述涂覆步驟中使用旋轉(zhuǎn)涂膜法進(jìn)行涂覆,其中,旋涂機(jī)的轉(zhuǎn)速控制在100轉(zhuǎn)/分鐘~6000轉(zhuǎn)/分鐘,涂膜時(shí)間為30秒~2分鐘;或者,所述涂覆步驟中使用浸漬提拉法進(jìn)行涂覆,其中,提拉機(jī)的速率控制在0.2厘米/分鐘~5厘米/分鐘,浸泡時(shí)間控制在1分鐘~4分鐘。
另一種實(shí)施例中,所述生成步驟具體包括:
燒結(jié)子步驟,將所述涂覆步驟最終得到的銅銦鎵硒前驅(qū)薄膜放到氣氛退火爐中,將所述氣氛退火爐以預(yù)定升溫速率升溫到預(yù)定最高溫度,并在所述預(yù)定最高溫度下保溫預(yù)定時(shí)間;
冷卻子步驟,將熱處理后的銅銦鎵硒前驅(qū)薄膜隨爐冷卻到室溫,即制成銅銦鎵硒多層薄膜。
其中,所述預(yù)定升溫速率為10℃/s~100℃/s,所述預(yù)定最高溫度為450℃~650℃,所述預(yù)定時(shí)間為0.5小時(shí)~3小時(shí)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





