1.一種銅銦鎵硒多層薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

配制步驟：配制包含不同Ga/(In+Ga)比例的銅銦鎵硒前驅溶膠；

涂覆步驟：非真空條件下，按照在從襯底到遠離襯底的方向上Ga/(In+Ga)比例為先遞減后遞增的方式，將所述銅銦鎵硒前驅溶膠逐層涂覆到襯底上，得到銅銦鎵硒前驅薄膜；

生成步驟：對所述涂覆步驟最終得到的銅銦鎵硒前驅薄膜進行熱處理，冷卻后即制成銅銦鎵硒多層薄膜。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配制步驟包括：

將CuSe納米顆粒和(In_1-xGa_x)₂Se₃納米顆粒分別均勻分散在分散劑中，根據需要的化學計量比進行混合，得到具有不同Ga/(In+ga)比例的銅銦鎵硒前驅溶膠。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：

所述銅銦鎵硒前驅溶膠中Cu離子濃度控制在0.2摩爾/升～1摩爾/升；

所述分散劑選自甲醇、乙醇、環己烷、甲苯、二甲苯和己硫醇中的任一種；

所述CuSe納米顆粒和(In_1-xGa_x)₂Se₃納米顆粒的粒徑小于等于50納米。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述涂覆步驟中，每進行一層涂覆后，對涂覆得到的銅銦鎵硒前驅薄膜進行烘干；

所述涂覆步驟中使用旋轉涂膜法進行涂覆，其中，旋涂機的轉速控制在100轉/分鐘～6000轉/分鐘，涂膜時間為30秒～2分鐘；或者，所述涂覆步驟中使用浸漬提拉法進行涂覆，其中，提拉機的速率控制在0.2厘米/分鐘～5厘米/分鐘，浸泡時間控制在1分鐘～4分鐘。

5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述生成步驟具體包括：

燒結子步驟，將所述涂覆步驟最終得到的銅銦鎵硒前驅薄膜放到氣氛退火爐中，將所述氣氛退火爐以預定升溫速率升溫到預定最高溫度，并在所述預定最高溫度下保溫預定時間；

冷卻子步驟，將熱處理后的銅銦鎵硒前驅薄膜隨爐冷卻到室溫，即制成銅銦鎵硒多層薄膜。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述預定升溫速率為10℃/s～100℃/s，所述預定最高溫度為450℃～650℃，所述預定時間為0.5小時～3小時。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在將所述涂覆步驟最終得到的銅銦鎵硒前驅薄膜放到氣氛退火爐后，通入惰性氣氛。

8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述燒結子步驟中，在所述氣氛退火爐升溫到200℃～400℃時，通入的含硒氣氛，所述冷卻子步驟中，當溫度降至300℃～200℃時，停止含硒氣氛的通入。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述含硒氣氛為硒蒸氣或H2Se氣體，其流量為0.1L/min～4L/min。

10.一種銅銦鎵硒多層薄膜，其特征在于，包括設置在襯底上的具有不同Ga/(In+Ga)比例的CuIn_1-xGa_xSe₂多層膜結構，其中Ga/(In+Ga)比例在從襯底到遠離襯底的方向上為先遞減后遞增，0.2≤x≤0.4。