[發明專利]新型籠型低聚倍半硅氧烷及其稀土發光材料有效

申請號：	201310010313.0	申請日：	2013-01-11
公開（公告）號：	CN103012464A	公開（公告）日：	2013-04-03
發明（設計）人：	李煥榮;陳曉凡;張盼寧	申請（專利權）人：	河北工業大學
主分類號：	C07F7/21	分類號：	C07F7/21;C09K11/06
代理公司：	天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210	代理人：	趙鳳英
地址：	300401 天津市***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	新型籠型低聚倍半硅氧烷及其稀土發光材料
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【權利要求書】：

1.一種新型籠型低聚倍半硅氧烷（POSS），其特征為下列物質之一：

（1），以TTASi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)，其結構式為：

或者，（2）以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)，其結構式為：

或者，（3），以TpySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)，其結構式為：

其中，上面結構式中

2.如權利要求1所述的新型籠型低聚倍半硅氧烷（POSS）的制備方法，其特征為下列方法之一：

方法（1），以TTASi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)的制備方法，包括如下步驟：

按摩爾比1，3，5，7,9，11，14-七異丁基三環[7.3.3.15，11]七硅氧烷-內-3，7，14-三醇(T):TTASi＝1:1的配比，將T用三氯甲烷溶解后加入反應器，TTASi用四氫呋喃溶解后同時加入反應器中，惰性環境下60℃加熱、攪拌4.5h后，經旋蒸、洗滌和干燥，得到以TTASi為補角體的籠型低聚倍半硅氧烷，記作T-TTASi；

或者，方法（2），以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)的制備方法，包括如下步驟：

按摩爾比1，3，5，7,9，11，14-七異丁基三環[7.3.3.15，11]七硅氧烷-內-3，7，14-三醇(T):BipySi＝2:1的配比，將T用三氯甲烷溶解后加入反應器，BipySi用二甲基亞砜溶解后同時加入反應器中，惰性環境下60℃加熱、攪拌4.5h，得到以BipySi為補角體的籠型低聚倍半硅氧烷，記作T-BipySi；

或者，方法（3），以TpySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)制備方法，包括如下步驟：

按摩爾比1，3，5，7,9，11，14-七異丁基三環[7.3.3.15，11]七硅氧烷-內-3，7，14-三醇(T):TpySi＝1:1的配比，將T用三氯甲烷溶解后加入反應器，TpySi用四氫呋喃溶解后同時加入反應器中，惰性環境下60℃加熱、攪拌4.5h，，得到以TpySi為補角體的籠型低聚倍半硅氧烷，記作T-TpySi。

3.一種新型籠型低聚倍半硅氧烷（POSS）/稀土離子發光材料，其特征為下列物質之一：

（1），以TTASi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土離子發光材料，其結構式為：

或者，（2），以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土離子發光材料，其結構式為：

或者，（3），以TpySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土離子發光材料，其結構式為：

其中，上面結構式中

稀土離子Ln為Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Yb³⁺、Tm³⁺或Dy³⁺。