[實用新型]小面積襯底用硒源離化器有效
| 申請號: | 201220665280.4 | 申請日: | 2012-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN202945323U | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發明(設計)人: | 趙岳;申緒男;張穎武;楊亦桐;喬在祥;趙彥民 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號: | C23C16/448 | 分類號: | C23C16/448;C23C16/30;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司: | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人: | 李鳳 |
| 地址: | 300384 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 面積 襯底 用硒源離化器 | ||
技術領域
本實用新型屬于CIGS薄膜太陽電池吸收層制備裝置技術領域,特別是涉及一種小面積襯底用硒源離化器。
背景技術
CIGS薄膜太陽電池因其具有高轉換效率、無光致衰退、抗輻射性能好、低成本、適合卷對卷工藝大規模生產等優點,被認為是最具有發展潛力的薄膜太陽電池。該電池典型結構由襯底、Mo層金屬背電極、CIGS層吸收層、CdS緩沖層、窗口層高阻i:ZnO、低阻ZnO:Al、MgF2減反射膜以及Ni-Al柵電極構成。其中CIGS吸收層的制備是CIGS太陽電池的核心技術。
多元共蒸發法是目前制備CIGS吸收層工藝中被使用最廣泛和最成功的方法。多元共蒸發法制備CIGS層,由銅、銦、鎵、硒四種元素以Se蒸汽形式在具有一定溫度的襯底上反應化合形成Cu(InxGa1-x)Se2的多元合金相。在制備過程中,硒加熱蒸發方法產生硒蒸氣以供應反應需要,這種方式的優點是簡單、易行;但隨著硒料的消耗會造成硒源蒸汽壓發生變化,進而影響到硒蒸發量的穩定性。而且以這種方式制備的Se蒸汽硒常以Sen(n≥5)大原子團簇形式存在,過大的n值嚴重的降低了分子團簇中硒原子的有效接觸面積,直接導致了反應活性及原料使用率的降低、薄膜成份均勻性差、局部偏離化學計量比等現象,使得Se氣氛分布不均勻而嚴重影響CIGS層成膜質量,導致CIGS薄膜太陽電池的光電轉換效率難以提高。
發明內容
本實用新型為解決背景技術中存在的技術問題而提供結構簡單、制作方便,能夠將低活性Sen(n≥5)大原子團裂解為較高活性Sen(n<5)小原子團,硒料的利用率高和硒蒸發均勻、穩定,CIGS吸收層的成膜質量好的一種小面積襯底用硒源離化器。
本實用新型采取的技術方案是:
小面積襯底用硒源離化器,包括內部有兩個電極形成離化腔室的方形離化器殼體,離化腔室中有加熱源、離化腔室頂部有氣體輸出口,離化腔室底部有氣體輸入口,其特點是:方形離化器殼體內壁固裝有絕緣層,兩個電極均為平板狀電極板,并固裝在氣體輸出口和氣體輸入口之間相對應的兩面內壁的絕緣層上,形成相互平行的兩個電極板;兩個電極板上均有密封絕緣引出在離化器殼體外面的電極接線柱;絕緣層中穿有從離化腔室通向外部的Ar氣輸入管;所述離化腔室底部的氣體輸入口為Se蒸汽輸入口。
本實用新型還可以采用如下技術措施:
所述離化器殼體下端為帶有固定孔的殼體下法蘭;所述離化器殼體上端為帶有固定孔的殼體上法蘭。
所述絕緣層為熱塑性塑料。
所述熱塑性塑料為PTFE、PS、PE、PP之一種。
所述從離化腔室通向外部的Ar氣輸入管和從電極板上引出通向外部的電極接線柱與離化器殼體之間的密封絕緣材料均為陶瓷。
本實用新型具有的優點和積極效果是:
本實用新型由于采用了方便制作的兩個方形電極板形成的方形離化腔室,當離化腔室中溫度為400℃~500℃時,通入Ar氣后形成輝光放電區;由Se蒸汽輸入口輸入的低活性Sen(n≥5)大原子團Se蒸汽進入到輝光放電區后裂解成較高活性Sen(n<5)小原子團Se蒸汽,經氣體輸出口輸出后參與小面積襯底上CIGS吸收層制備,能夠顯著提高小面積CIGS薄膜太陽電池的光電轉換效率,并且結構簡單、制作方便。
附圖說明
圖1是本實用新型一種小面積襯底用硒源離化器示意圖。
其中,1-Se蒸汽輸入口,2-Ar氣輸入管,3-離化器殼體,4-電極接線柱,5-絕緣層,6-電極板,7-氣體輸出口,8-固定孔,9-殼體上法蘭,10-殼體下法蘭。
具體實施方式
為能進一步了解本實用新型的發明內容內容、特點及功效,茲例舉以下實施例,詳細說明如下:
小面積襯底用硒源離化器,包括內部有兩個電極形成離化腔室的方形離化器殼體3,離化腔室中有加熱源、離化腔室頂部有氣體輸出口7,離化腔室底部有氣體輸入口。
本實用新型的創新點是:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





