[實用新型]絕緣柵雙極型晶體管有效

申請號：	201220341907.0	申請日：	2012-07-13
公開（公告）號：	CN202888184U	公開（公告）日：	2013-04-17
發明（設計）人：	鳥居克行	申請（專利權）人：	三墾電氣株式會社
主分類號：	H01L29/739	分類號：	H01L29/739;H01L29/06
代理公司：	北京三友知識產權代理有限公司 11127	代理人：	李輝;黃綸偉
地址：	日本***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	絕緣柵雙極型晶體管
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【說明書】：

技術領域

本實用新型涉及一種晶體管，尤其是通過將柵極電極形成為條狀，由此來實現能夠耐高圧且柵極容量小的IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)。?

背景技術

現有技術的絕緣柵雙極型晶體管，例如日本特開2009-152364號專利公報中記載的絕緣柵雙極型晶體管。如圖1所示，該絕緣柵雙極型晶體管的半導體單元1具有層間絕緣膜12，該層間絕緣膜12具有：延伸部121，其覆蓋在柵極電極116上，并在第2方向(Y方向)上延伸；連結部122，其在第2方向上以一定間隔連結在第1方向(X方向)上相鄰的各個延伸部121；以及由延伸部121和連結部122規定出來的開口部123，在該開口部123中，露出基極區域112的主面和射極區域113的主面。并且，連結部122下面的在第2方向上的第2寬度的尺寸122W，設定得比在該層間絕緣膜12的延伸部121下面的射極區域113的在第1方向上的第1寬度的尺寸121W大。?

在上述的結構中，當121W的寬度小時，會出現在該部分容易折斷的缺陷。?

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種絕緣柵雙極型晶體管，使得其柵極溝槽結構不易折斷。?

為了實現上述目的，本實用新型提供了一種絕緣柵雙極型晶體管，其具有：半導體襯底，其具有第1主面以及第2主面并且在所述第1主面上還具有多個溝槽；射極電極，其配置在所述第1主面上；集電極電極，其配置在所述第2主面上；絕緣膜，其配置在所述溝槽的壁面上；?柵極電極，其配置在所述溝槽中；以及層間絕緣膜，其形成在所述溝槽上方，并處于所述射極電極和所述溝槽間，?

所述半導體襯底具有：第1導電型的集電極區域，其配置成在所述第2主面上露出；第2導電型的漂移區域，其配置在所述集電極區域的上方；第1導電性的基極區域，其配置在所述第2導電型的漂移區域的上方；以及第2導電型的射極區域，其鄰接配置在與所述第1導電型的基極區域并且在所述第1主面上露出，所述溝槽具有比從所述第1主面起到所述第1導電型的基極區域的下部更深的深度，?

在所述溝槽間，形成凹陷部，使得所述射極區域和所述第1導電型的基極區域露出，所述凹陷部由第1凹陷部和第2凹陷部構成，所述凹陷部具有在所述第1凹陷部的底部的內側設置有比所述第1凹陷部的寬度窄的第2凹陷部的結構。?

本實用新型還提供了一種絕緣柵雙極型晶體管，其具有：?

半導體襯底，其具有第1主面以及第2主面并且還具有在所述第1主面上并行延伸的多個溝槽；射極電極，其配置在所述第1主面上；集電極電極，其配置在所述第2主面上；絕緣膜，其配置在所述溝槽的壁面上；柵極電極，其配置在所述溝槽中；以及層間絕緣膜，其形成在所述溝槽上方，并處于所述射極電極和所述溝槽間，?

通過本實用新型的2階段的凹陷部的結構，使得其柵極溝槽結構不?易折斷。?

附圖說明

圖1是現有技術的絕緣柵雙極型晶體管的結構示意圖。?

圖2是本實用新型的實施例一的絕緣柵雙極型晶體管的局部截面圖。?

圖3是本實用新型的實施例一的絕緣柵雙極型晶體管的結構示意圖。?

圖4是本實用新型的實施例一的絕緣柵雙極型晶體管的俯視結構示意圖。?

圖5是本實用新型的實施例一的絕緣柵雙極型晶體管的溝槽排列形態的結構示意圖。?

圖6是本實用新型的實施例二的絕緣柵雙極型晶體管的結構示意圖。?

圖7是本實用新型的實施例三的絕緣柵雙極型晶體管的結構示意圖。?