1.一種絕緣柵雙極型晶體管，其具有：

半導體襯底，其具有第1主面以及第2主面并且在所述第1主面上還具有多個溝槽；射極電極，其配置在所述第1主面上；集電極電極，其配置在所述第2主面上；絕緣膜，其配置在所述溝槽的壁面上；柵極電極，其配置在所述溝槽中；以及層間絕緣膜，其形成在所述溝槽上方，并處于所述射極電極和所述溝槽間，其特征在于，

所述半導體襯底具有：

第1導電型的集電極區域，其配置成在所述第2主面上露出；

第2導電型的漂移區域，其配置在所述集電極區域的上方；

第1導電性的基極區域，其配置在所述第2導電型的漂移區域的上方；以及

第2導電型的射極區域，其鄰接配置在與所述第1導電型的基極區域并且在所述第1主面上露出，

所述溝槽具有比從所述第1主面起到所述第1導電型的基極區域的下部更深的深度，

在所述溝槽間，形成凹陷部，使得所述射極區域和所述第1導電型的基極區域露出，

所述凹陷部由第1凹陷部和第2凹陷部構成，所述凹陷部具有在所述第1凹陷部的底部的內側設置有比所述第1凹陷部的寬度窄的第2凹陷部的結構。

2.一種絕緣柵雙極型晶體管，其具有：

半導體襯底，其具有第1主面以及第2主面并且還具有在所述第1主面上并行延伸的多個溝槽；射極電極，其配置在所述第1主面上；集電極電極，其配置在所述第2主面上；絕緣膜，其配置在所述溝槽的壁面上；柵極電極，其配置在所述溝槽中；以及層間絕緣膜，其形成在所述溝槽上方，并處于所述射極電極和所述溝槽間，其特征在于，

所述半導體襯底具有：

第1導電型的集電極區域，其配置成在所述第2主面上露出；

第2導電型的漂移區域，其配置在所述集電極區域的上方；

第1導電性的基極區域，其配置在所述第2導電型的漂移區域的上方；以及

第2導電型的射極區域，其鄰接配置在與所述第1導電型的基極區域并且在所述第1主面上露出，

所述溝槽具有比從所述第1主面起到所述第1導電型的基極區域的下部更深的深度，

在所述溝槽間，形成凹陷部，使得所述射極區域和所述第1導電型的基極區域露出，

所述凹陷部由第1凹陷部和第2凹陷部構成，所述凹陷部具有在所述第1凹陷部的底部的內側設置有比所述第1凹陷部的寬度窄的第2凹陷部的結構。

3.根據權利要求2所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，

在所述溝槽間，在所述溝槽的延伸方向上交替地配置有射極層和基極層。

4.根據權利要求1-3中任一權利要求所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，形成有在所述基極區域和所述漂移區域之間與所述漂移區域相接并且與所述漂移區域相比雜質濃度還高的介入層。

5.根據權利要求4所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，

所述第1凹陷部的底面的到第2凹陷部的區域中，形成有與所述半導體襯底的第1主面平行的平坦部。

6.根據權利要求4所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，

所述溝槽從所述半導體襯底的第1主面向底部逐漸變窄。