技術領域

本公開涉及半導體封裝件，更具體地，涉及具有無半導體通孔的超薄中介片的半導體封裝件。

背景技術

例如，諸如移動通信裝置的許多被廣泛使用的用戶電子裝置均需要集成電路（IC）用于其操作。隨著這些電子裝置變得日益復雜而同時常常尺寸減小，IC密度和封裝成為愈發重要的設計限制。相應地，已研發出更先進的封裝解決方案。一種這樣的封裝解決方案使用一個或多個中介片（interposer）來實現在單個封裝件中多個有源半導體芯片的互聯。

現有的中介片一般包括形成在較厚半導體基板上的中介片電介質。半導體通孔（TSV：through-semiconductor?via）常被用來在有源半導體芯片之間提供電連接，該有源半導體芯片可位于中介片上，且封裝件基板位于中介片的下面。然而，通過半導體基板的泄漏會不利地影響通過TSV的電信號。

發明內容

大體如結合附圖中的至少一幅所示和/或所描述，并如權利要求中更完全所述地，本公開涉及具有無半導體通孔的超薄中介片的半導體封裝件。

（1）一種半導體封裝件，包括：第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片電介質；所述中介片電介質，具有中介片內布線，所述第一有源芯片不利用半導體通孔（TSV）而利用所述中介片內布線將電信號傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。

（2）根據（1）所述的半導體封裝件，進一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半導體通孔而利用所述中介片內布線將電信號傳輸至所述封裝件基板。

（3）根據（1）所述的半導體封裝件，進一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片通過所述中介片傳輸芯片間信號。

（4）根據（1）所述的半導體封裝件，其中，所述中介片包括在所述中介片之下的中介片半導體。

（5）根據（4）所述的半導體封裝件，其中，所述中介片半導體包括連接墊，并且所述第一有源芯片通過所述中介片內布線和所述連接墊將電信號傳輸至所述封裝件基板。

（6）根據權利要求5所述的半導體封裝件，進一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半導體通孔而通過所述中介片內布線和所述連接墊將電信號傳輸至所述封裝件基板。

（7）根據（1）所述的半導體封裝件，進一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，并進一步包括在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側壁之間的填充材料，所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號傳輸至所述第二有源芯片。

（8）一種半導體封裝件，包括：第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介電介質，所述中介電介質具有形成于其內的中介片內布線；中介片半導體，在所述中介片電介質之下，所述中介片半導體包括連接墊，所述第一有源芯片不利用半導體通孔（TSV）而利用所述中介片內布線和所述連接墊將電信號傳輸至位于所述中介片之下的封裝件基板。

（9）根據（8）所述的半導體封裝件，其中，所述連接墊延伸穿過所述中介片半導體以接觸所述中介片內布線。

（10）根據（8）所述的半導體封裝件，其中，所述中介片電介質包括味之素TM增強膜（ABF）。

（11）根據（8）所述的半導體封裝件，其中，所述連接墊含有銅。

（12）根據（8）所述的半導體封裝件，進一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半導體通孔而利用所述中介片內布線和所述連接墊將電信號傳輸至所述封裝件基板。

（13）根據（8）所述的半導體封裝件，進一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片通過所述中介片傳輸芯片間信號。

（14）根據（8）所述的半導體封裝件，進一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，并進一步包括在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側壁之間的填充材料，所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號傳輸至所述第二有源芯片。

（15）一種半導體封裝件，包括：第一有源芯片和第二有源芯片，位于包括中介片電介質的中介片之上，所述中介片電介質具有形成于其內的中介片內布線；填充材料，在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的側壁之間，所述第一有源芯片通過所述填充材料將AC信號傳輸至所述第二有源芯片。