1.抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11在黃曲霉毒素B1熒光淬滅中的應用，其中：所述的抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11由保藏號為CCTCC?NO.?C201013的雜交瘤細胞株1C11分泌產生。

2.根據權利要求1所述的抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11在黃曲霉毒素B1熒光淬滅中的應用方法，其特征在于：它是在含有黃曲霉毒素B1的樣品溶液中加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11，使黃曲霉毒素B1熒光淬滅。

3.根據權利要求2所述的抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11在黃曲霉毒素B1熒光淬滅中的應用方法，其特征在于：所述為使黃曲霉毒素B1的熒光進行充分淬滅，在黃曲霉毒素B1的樣品溶液中加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11后先混勻，然后于37±5℃放置至少0.5h。

4.根據權利要求3所述的抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11在黃曲霉毒素B1熒光淬滅中的應用方法，其特征在于：還包括根據以下方法測定熒光淬滅率：將含有黃曲霉毒素B1的樣品溶液中在未加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11前，先于365nm激發波長激發下獲取其熒光發射光譜，記錄440nm處的熒光強度值；然后再加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11進行淬滅后，再于365nm激發波長激發下獲取其熒光發射光譜，記錄440nm處的熒光強度值，根據以下公式計算熒光淬滅率：

熒光淬滅率=熒光被抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11淬滅強度值即加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11淬滅前后的440nm處的兩個熒光強度的差值/加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11淬滅前的熒光強度值。

5.根據權利要求3所述的抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11在黃曲霉毒素B1熒光淬滅中的應用方法，其特征在于：在含有黃曲霉毒素B1的樣品中加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11時，使抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11的濃度達到使體系中黃曲霉毒素B1的熒光充分淬滅的最小濃度，以使樣品中黃曲霉毒素B1的熒光進行充分淬滅。

6.根據權利要求5所述的抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11在黃曲霉毒素B1熒光淬滅中的應用方法，其特征在于：所述使體系中黃曲霉毒素B1的熒光充分淬滅的抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11最小濃度是根據如下方法獲得：將含有黃曲霉毒素B1的樣品在未加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11前，先于365nm激發波長激發下獲取其熒光發射光譜，記錄440nm處的熒光強度值；然后在上述黃曲霉毒素B1標準品溶液中加入抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11，獲得不同濃度抗黃曲霉毒毒通用單克隆抗體的體系，采用如上條件進行熒光淬滅，將淬滅后的熒光強度值與初始熒光強度值相比，獲得不同濃度抗黃曲霉毒素通用單克抗體時的熒光淬滅率，通過比較其熒光淬滅率，在抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11為某一濃度時，隨著該濃度的增加，體系中黃曲霉毒素B1的熒光淬滅率也不隨之增加，則該濃度即為使體系中黃曲霉毒素B1的熒光充分淬滅的抗黃曲霉毒素通用單克隆抗體1C11最小濃度。