技術領域：

本發明涉及晶體生長領域

背景技術：

對于硅單晶，傳統上使用直拉法或區熔法拉制單晶。近些年，也興起使用鑄錠爐進行鑄造單晶的生產。本發明提供一種使用懸浮拉制法制作硅單晶的方法，使用未經破碎的普通西門子還原法制作的多晶硅棒作為原料，利用電磁力懸浮熔融硅進行單晶制造的方法。本發明旨在發明一種低成本質量接近區熔單晶的硅單晶制造技術。

發明內容：

本方法將未經破碎的普通西門子還原法制作的多晶硅棒作為原料從坩堝下方的開孔中加入坩堝。硅棒在坩堝中加熱熔化。在坩堝下方環繞有電磁線圈。通電建立電磁場后，熔融態的硅受電磁場作用懸浮在坩堝內且不從坩堝同硅棒的間歇中泄漏。當坩堝中的熔融硅建立溫度梯度后，即可按照直拉晶體硅的方法進行晶體的拉制。

附圖說明：

1原生還原爐產出的棒狀多晶硅

2坩堝

3熔融硅

4硅單晶

5電磁線圈

具體實施方式：

傳統的直拉單晶爐，對坩堝及坩堝下方按如圖所示布置作改造。從西門子還原爐上取下的未經破碎的(1)原生還原爐產出的棒狀多晶硅(推薦對硅棒在使用前退火，以消除內應力)作為原料從(2)坩堝下方的開孔中加入(2)坩堝。(1)原生還原爐產出的棒狀多晶硅的頂部加熱熔化少許后在(2)坩堝中形成(3)熔融硅。(3)熔融硅受(5)電磁線圈產生的電磁場作用，懸浮在(2)坩堝中實現與坩堝的無直接接觸且不從(2)坩堝與(1)原生還原爐產出的棒狀多晶硅的間歇中泄漏。當(2)坩堝中的(3)熔融硅建立溫度梯度后，即可按照傳統直拉晶體硅的方法進行單晶體的拉制。當(2)坩堝中的(3)熔融硅隨(4)硅單晶的拉長而消耗后，提升(1)原生還原爐產出的棒狀多晶硅從而實現對(2)坩堝中的(3)熔融硅的連續加料。