1.一種使用懸浮拉制法制作硅單晶的方法

權利要求為利用如圖所示的懸浮拉制法制作硅單晶的方法。

在坩堝的下方開孔，使用未破碎的原生西門子還原爐的多晶硅棒，通過使用無物理接觸的懸浮方法約束熔融硅進行硅單晶制造的方法。

本方法可以視作傳統直拉單晶法同向上拉制的區熔法(英文術語：Pedestal?Growth?FZ)的結合。即熔融硅區由硅棒頂部向下移動，而硅單晶在熔融硅上向上拉制。其中傳統的直立去，熔融硅同坩堝直接接觸而約束在坩堝中。而向上拉制的區熔法則通過熔融硅液的表面張力維持一個穩定的熔區。而在本方法中，熔融硅由懸浮作用進行約束。無論類似的改良被稱作直拉法或者區熔法，都屬于本專利的權利要求范圍。

無論本方法中坩堝使用何種材質原材料，都不構成對本專利的合理回避，都屬于本專利的權利要求范圍。

使用本方法中并不要求電磁懸浮力使得坩堝同熔融硅完全無直接接觸或者電磁場提供對熔融硅百分之一百的支撐懸浮。構建電磁場的目的在于獨立維持或者協助坩堝或著表面張力共同維持熔融哇一個穩定的物理形狀。坩堝同熔融硅產生接觸或者或者電磁場提供對熔融硅的形狀維持提供部分支撐，即部分懸浮，都不構成對本專利的合理回避，都屬于本專利的權利要求范圍。

發明附圖中使用硅棒從坩堝加料僅為本發明的一種實現方式。事實上，由于懸浮無接觸或部分接觸的熔區有很多優勢，該方式適用于任何連續向上拉制單晶。使用任何形狀的硅料，合棒，塊，片及顆粒等；且無論從坩堝上方或者下方投入硅料都不構成對本專利的合理回避，都屬于本專利的權利要求范圍。