1.一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法，其特征是：首先將石英坩堝（5）中的硅料加熱至1450~1550℃使之熔化形成硅熔體，之后啟動(dòng)水冷旋轉(zhuǎn)桿（13）向下運(yùn)動(dòng)進(jìn)行拉錠，使硅熔體由石英坩堝（5）底部向頂部進(jìn)行凝固，當(dāng)凝固達(dá)到80%~90%時(shí)，通過(guò)水冷旋轉(zhuǎn)桿（13）旋轉(zhuǎn)石英坩堝（5），同時(shí)開(kāi)啟落粉裝置（2）使高純硅粉散落到雜質(zhì)含量較高的上層硅熔體中，高純硅粉作為形核劑使上層硅熔體迅速反向凝固，待凝固完成后切去上層反向凝固得到的部分，得到的下層鑄錠即為高純硅鑄錠。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法，所采用的具體步驟是：

第一步前處理：向石英坩堝（5）中添加石英坩堝體積90%~100%的純度為99.9%~99.95%硅原料，向落粉裝置（2）中裝入高純硅粉，蓋好爐蓋（1），保持爐體（2）內(nèi)的密封性，分別用機(jī)械泵（14）和羅茨泵（15）將爐體內(nèi)抽真空至1~10Pa；

第二步熔料、拉錠：打開(kāi)電源，啟動(dòng)感應(yīng)線圈（8），將硅料加熱至1450~1550℃，使硅料完全熔化，并在1450~1550℃下保溫50~80min，同時(shí)控制熔體內(nèi)溫差，之后開(kāi)啟水冷旋轉(zhuǎn)桿（13），使之以0.1-1mm/min的速度向下運(yùn)動(dòng)，帶動(dòng)凝固保溫裝置以同樣速率下降拉錠，使硅熔體由石英坩堝（5）底部向頂部進(jìn)行定向凝固；

第三步反向凝固提純：當(dāng)硅熔體凝固達(dá)到80%~90%時(shí)，通過(guò)水冷旋轉(zhuǎn)桿（13）旋轉(zhuǎn)石英坩堝（5），同時(shí)開(kāi)啟落粉裝置（2），高純硅粉落進(jìn)熔體內(nèi)，高純硅粉隨著石英坩堝（5）的轉(zhuǎn)動(dòng)而均勻分布在熔體表面，隨著溫度的進(jìn)一步降低，加入的高純硅粉作為形核劑，使雜質(zhì)含量較高的硅熔體迅速反向凝固，待凝固完成后切去上層反向凝固得到的部分，得到的下層鑄錠即為高純硅鑄錠，其純度將達(dá)到99.99%-99.999%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一所述的一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法，其特征是：所述高純硅粉的純度為99.999%~99.9999%。

4.一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法所采用的設(shè)備，由爐蓋（1）、爐體（4）以及支撐基座（11）組成外部結(jié)構(gòu)，其特征是：水冷旋轉(zhuǎn)桿（13）穿過(guò)爐體（4）底部與水冷托盤(pán)（12）固定連接，散熱板（10）固定安裝于水冷托盤(pán)（12）之上，凝固保溫裝置放置于散熱板（10）之上，保溫套筒（7）套于凝固保溫裝置外圍，保溫套筒（7）通過(guò)固定支架（9）固定安裝于爐體（4）內(nèi)壁，感應(yīng)線圈（8）套于保溫套筒（7）之外，落粉裝置（2）通過(guò)支撐架（3）固定于爐體（4）內(nèi)部，且位于凝固保溫裝置正上方，機(jī)械泵（14）和羅茨泵（15）放置于爐體（4）之外，通過(guò)真空管道（16）連接，真空管道（16）一端通向爐體（4）內(nèi)部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法所采用的設(shè)備，其特征是：所述水冷旋轉(zhuǎn)桿（13）為圓柱狀，內(nèi)置冷卻水管道。

6.?根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法所采用的設(shè)備，其特征是：所述水冷托盤(pán)（12）為圓盤(pán)狀，內(nèi)置冷卻水管道。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的的方法所采用的設(shè)備，其特征是：所述散熱板（10）為圓盤(pán)狀銅散熱板。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法所采用的設(shè)備，其特征是：所述凝固保溫裝置至少由石英坩堝（5）和石墨坩堝（6）組成，采用石墨坩堝（6）放置于散熱板（10）之上，石英坩堝（5）嵌于石墨坩堝（6）之內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法所采用的設(shè)備，其特征是：所述保溫套筒（7）為兩端無(wú)蓋的圓筒狀碳纖維材料保溫套筒。