技術領域

本發明涉及晶體硅太陽能電池制造領域，尤其涉及一種用以制造太陽能電池片的硅片的拋光方法。

背景技術

太陽能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽的光能直接轉化為電能的半導體器件。由于太陽能電池是綠色環保產品，不會引起環境污染，而且是可再生資源，所以在當今能源短缺的情形下，太陽能電池是一種具有廣闊發展前景的新型能源?！敖当驹鲂А笔歉偁幦找婕ち业墓夥a業追求的目標。降低硅原料的成本，加速了硅片向薄片化發展。在硅片厚度不斷減薄的趨勢下，為了獲得更高的轉換效率，就必須為晶體硅太陽能電池的前、背表面提供高效的鈍化技術和較好的背反射效果。

為了獲得更好的鈍化和背反射效果，在沉積介質膜鈍化之前，需要對硅片背表面進行平坦化拋光處理?，F有的晶體硅背鈍化處理前的拋光方法主要是采用化學試劑拋光，主要有堿拋和酸拋兩種。其中堿液拋光后的多晶硅背表面晶界處臺階明顯，嚴重影響隨后沉積的介質膜的鈍化效果；酸液拋光后的硅片背表面粗糙度較大，沉積介質膜后背反射效果有限。另外，經過多次化學試劑的沖擊后，多晶硅片脆性增加，在工業化生產中碎片率增大。同時大量腐蝕性、有毒化學藥品的使用也給環境帶來了破壞。

因此，有必要提供一種改進的硅片的拋光方法以解決上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可減少環境污染且拋光效果較好的硅片的拋光方法。

為實現上述發明目的，本發明提供了一種硅片的拋光方法，包括以下步驟：

S1，將硅片置于一等離子體發生裝置中的基片架上；其中所述基片架周圍設有用以提供一垂直于所述基片架表面的約束磁場的磁線圈或磁鋼；

S2，向所述等離子體發生裝置中通入反應氣體；

S3，開啟等離子體發生裝置中的激發電源，反應氣體經激發形成等離子體；

S4，等離子體在所述磁線圈或磁鋼產生的約束磁場的作用下對所述硅片進行刻蝕拋光。

作為本發明的進一步改進，在所述S1步驟之前還包括：S0，采用化學腐蝕液對硅片進行去損傷。

作為本發明的進一步改進，所述S1步驟在將所述硅片放置于所述基片架上后還包括對所述等離子體發生裝置中的反應腔室進行抽真空處理，抽真空后的反應腔室內的真空度為0.01mTorr至1mTorr。

作為本發明的進一步改進，所述S2步驟中通入的反應氣體為NF₃、SF₆、CF₄、C₂H₆、CHF₃、F₂和Cl₂中的至少一種。

作為本發明的進一步改進，S2步驟中通入反應氣體的流量為100sccm至1000sccm。

作為本發明的進一步改進，所述S2步驟中反應氣體為SF₆、CF₄、C₂H₆和CHF₃中的任意一種時，同時通入氧化性氣體為O₂、O₃或N₂O中的一種。

作為本發明的進一步改進，所述S2步驟中通入氧化性氣體的流量與通入的反應氣體為SF₆、CF₄、C₂H₆和CHF₃中的任意一種的流量比范圍為1:10至1:20。

作為本發明的進一步改進，所述激發電源為射頻電源或微波電源，所述S3步驟中反應氣體通過射頻電源或微波電源采用射頻容性耦合激發、或者射頻感性耦合激發或者微波激發方式激發形成所述等離子體。

作為本發明的進一步改進，采用射頻電源激發形成等離子體的功率為100W至2000W，采用微波電源激發形成等離子體的功率為100W至2000W。

作為本發明的進一步改進，所述等離子體的放電氣壓為50mTorr至300mTorr。

作為本發明的進一步改進，所述等離子體刻蝕拋光得到的硅片的拋光深度為3um至10um。

作為本發明的進一步改進，所述硅片為多晶硅片、或者單晶硅片、或者準單晶硅片。