1.一種硅片的拋光方法，其特征在于：所述拋光方法包括以下步驟：

S1，將硅片置于一等離子體發(fā)生裝置中的基片架上；其中所述基片架周圍設(shè)有用以提供一垂直于所述基片架表面的約束磁場(chǎng)的磁線圈或磁鋼；

S2，向所述等離子體發(fā)生裝置中通入反應(yīng)氣體；

S3，開啟等離子體發(fā)生裝置中的激發(fā)電源，反應(yīng)氣體經(jīng)激發(fā)形成等離子體；

S4，等離子體在所述磁線圈或磁鋼產(chǎn)生的約束磁場(chǎng)的作用下對(duì)所述硅片進(jìn)行刻蝕拋光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片的拋光方法，其特征在于：在所述S1步驟之前還包括：S0，采用化學(xué)腐蝕液對(duì)硅片進(jìn)行去損傷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片的拋光方法，其特征在于：所述S1步驟在將所述硅片放置于所述基片架上后還包括對(duì)所述等離子體發(fā)生裝置中的反應(yīng)腔室進(jìn)行抽真空處理，抽真空后的反應(yīng)腔室內(nèi)的真空度為0.01mTorr至1mTorr。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片的拋光方法，其特征在于：所述S2步驟中通入的反應(yīng)氣體為NF₃、SF₆、CF₄、C₂H₆、CHF₃、F₂和Cl₂中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片的拋光方法，其特征在于：S2步驟中通入反應(yīng)氣體的流量為100sccm至1000sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片的拋光方法，其特征在于：所述S2步驟中反應(yīng)氣體為SF₆、CF₄、C₂H₆和CHF₃中的任意一種時(shí)，同時(shí)通入氧化性氣體為O₂、O₃或N₂O中的一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅片的拋光方法，其特征在于：所述S2步驟中通入氧化性氣體的流量與通入的反應(yīng)氣體為SF₆、CF₄、C₂H₆和CHF₃中的任意一種的流量比范圍為1:10至1:20。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片的拋光方法，其特征在于：所述激發(fā)電源為射頻電源或微波電源，所述S3步驟中反應(yīng)氣體通過射頻電源或微波電源采用射頻容性耦合激發(fā)、或者射頻感性耦合激發(fā)或者微波激發(fā)方式激發(fā)形成所述等離子體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅片的拋光方法，其特征在于：采用射頻電源激發(fā)形成等離子體的功率為100W至2000W，采用微波電源激發(fā)形成等離子體的功率為100W至2000W。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片的拋光方法，其特征在于：所述等離子體的放電氣壓為50mTorr至300mTorr。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的硅片的拋光方法，其特征在于：所述等離子體刻蝕拋光得到的硅片的拋光深度為3um至10um。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的硅片的拋光方法，其特征在于：所述硅片為多晶硅片、或者單晶硅片、或者準(zhǔn)單晶硅片。