技術領域

本公開涉及半導體設備的板式封裝的領域。

背景

在工業中獲得接受的板式封裝的一般實現是扇出型晶片級封裝（WLP），其中多個管芯單元面向下放置在臨時膠帶載體上。使用壓縮成型工藝用模塑料使多個管芯單元和臨時膠帶載體包覆成型。在成型后，去除膠帶載體，讓多個管芯單元的有源表面暴露在通常稱為重組晶片的結構中。隨后，晶片級芯片尺寸封裝（WLCSP）組合結構在重組晶片的頂部上形成。球柵陣列（BGA）球連接到重組晶片，并且然后重組晶片用鋸分割以形成單獨的封裝件。

附圖簡述

在附圖的圖中，作為例子而不是作為限制示出了本公開。

圖1A示出了重組晶片的一個實施方式。

圖1B-1D根據實施方式示出了布置在重組晶片中的多個封裝件或模塊的俯視圖。

圖2是示出了用于制造半導體封裝件的工藝的實施方式的流程圖。

圖3示出了設備晶片的實施方式，扇入型RDL結構和導電接線柱構建在所述設備晶片上。

圖4示出了設備晶片的實施方式，扇入型RDL結構和導電接線柱構建在所述設備晶片上。

圖5根據實施方式示出了安裝在載體元件上的管芯單元。

圖6根據實施方式示出了包封在模塑料中的管芯單元。

圖7根據實施方式示出了被包封在模塑料中并貼有錫球的管芯單元。

圖8根據實施方式示出了被分割的設備封裝件。

圖9示出了球柵陣列（BGA）半導體設備封裝件的實施方式。

圖10示出了四方扁平無引腳（QFN）半導體設備封裝件的實施方式。

詳細描述

下面的描述闡述了許多具體細節，例如具體的系統、部件、方法等的實例，以便提供對本發明的幾個實施方式的好的理解。然而對于本領域技術人員很明顯，可在沒有這些具體細節的情況下實踐本發明的至少一些實施方式。在其他實例中，眾所周知的部件或方法未被詳細描述或者以簡單的框圖形式出現，以便避免不必要地使本發明難理解。因此，所闡述的具體細節僅是示例性的。具體實現可從這些示例性細節變化且仍然被設想在本發明的精神和范圍之內。

如本文所用的術語“在…上方”、“在…之間”和“在…上”是指一層相對于其他層的相對位置。沉積或布置在另一層上方或下方的一層可直接與該另一層接觸或可具有一個或多個中介層。沉積或布置在幾層之間的一層可直接與這幾層接觸或可具有一個或多個中介層。相反，在第二層“上”的第一層與該第二層接觸。

本文公開的實施方式包括可應用于板式封裝例如扇出型WLCSP的方法和結構。在以下描述中，關于單個管芯應用描述了具體實施方式。本發明的實施方式在多管芯模塊或管芯與無源部件（例如，電容器、電感器或電阻器）和/或模塊內的其他部件（例如，光學元件、連接器或其他電子部件）的某種組合中也可能是有用的。

在一個實施方式中，用于封裝半導體設備的方法可包括通過用模塑料包圍管芯單元的所有側面來將半導體管芯單元包封在模塑料內。在一個實施方式中，可包封半導體管芯單元，使得管芯單元的所有六個側面被模塑料覆蓋。

在一個實施方式中，該工藝可包括在管芯單元和載體例如膠帶載體之間產生空隙以允許模塑料流入管芯單元和載體之間的空隙中。在一個實施方式中，可通過在管芯單元上構建隔板元件然后將管芯單元置于載體上以使隔板將管芯單元與載體表面隔開來產生空隙。

在一個實施方式中，隔板元件還可用來將管芯單元的一個或多個接合焊盤電連接到半導體封裝件的外表面。例如，隔板元件可包括可由被鍍在半導體管芯單元的接合焊盤上的材料例如銅構建的一個或多個導電接線柱。

在一個實施方式中，焊盤在本文可被稱作“接合焊盤”，不論是否有任何電線粘合到所述焊盤上。因此接合焊盤可以是可進行電連接以給集成在管芯單元內的電路提供信號或接收來自集成在管芯單元內的電路的信號的任何點。

因此，在一個實施方式中，半導體管芯單元可實質上被模塑料包封，使得管芯單元的大部分被模塑料包圍，可能除了任何導電通路例如管芯單元和封裝件外部之間的導電接線柱以外。

在一個實施方式中，扇入型再分布層（RDL）結構可構建在管芯單元上，且隔板元件例如導電接線柱可構建在扇入型RDL結構上。在一個實施方式中，扇入型RDL可用于在X-Y平面中移動連接點，使得連接點在X-Y平面中較接近于彼此而間隔開。相反，扇出型RDL可用來在X-Y平面中使連接點移動得隔得更遠。這兩種類型的RDL都可以在遠離可包括管芯單元的接合焊盤的原始連接點的Z方向上建立新的連接點。