1.一種方法，包括：

構建與半導體管芯單元的表面耦合的隔板元件，其中所述隔板元件被配置成在所述半導體管芯單元和載體的表面之間產生空隙；以及

將所述半導體管芯單元包封在模塑料內，其中所述包封包括將所述模塑料引入所述空隙中。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在將所述模塑料引入所述空隙中之前將所述隔板元件附接到所述載體。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在包封所述半導體管芯單元之前，使半導體晶片變薄，所述半導體管芯單元構建在所述半導體晶片上；以及

切割所述半導體晶片以將所述半導體管芯單元與多個其他半導體管芯單元分隔開。

4.根據權利要求1所述的方法，其中將所述半導體管芯包封在所述模塑料內還包括執行壓縮成型工藝。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在所述半導體管芯單元的頂部上的所述模塑料的第一厚度小于在所述半導體管芯單元的底部下面的所述模塑料的第二厚度的三倍。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述隔板元件包括與所述半導體管芯單元的至少一個接合焊盤電耦合的至少一個導電接線柱。

7.根據權利要求6所述的方法，還包括在所述模塑料的外表面處暴露所述至少一個導電接線柱。

8.根據權利要求6所述的方法，還包括在將所述半導體管芯單元包封在所述模塑料中之前構建與所述半導體管芯單元的多個接合焊盤電耦合的扇入型再分布層（RDL）結構，其中所述至少一個導電接線柱被電鍍到所述扇入型RDL結構上。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括在所述模塑料的表面上構建扇出型再分布層（RDL）結構，其中所述扇出型RDL與所述至少一個導電接線柱電耦合。

10.根據權利要求6所述的方法，還包括將多個錫球貼到所述扇出型RDL結構以產生球柵陣列（BGA）封裝件。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括在將所述半導體管芯單元包封在所述模塑料中后，將所包封的半導體管芯單元與多個其他包封的半導體管芯單元分隔開。

12.一種半導體設備封裝件，包括：

半導體管芯單元；

多個導電接線柱，其與所述半導體管芯單元的有源表面上的一個或多個接合焊盤電耦合；以及

模塑料，其實質上覆蓋所述半導體管芯單元的有源表面，其中所述導電接線柱通過再分布層（RDL）與在所述模塑料外部暴露的導電材料電耦合。

13.根據權利要求12所述的半導體設備封裝件，其中所述再分布層（RDL）結構是扇出型RDL并與所述多個導電接線柱電耦合。

14.根據權利要求12所述的半導體設備封裝件，其中在所述模塑料外部暴露的所述導電材料包括與所述扇出型RDL結構電耦合的多個錫球，其中所述半導體設備封裝件是球柵陣列（BGA）封裝件。

15.根據權利要求12所述的半導體設備封裝件，還包括將一個或多個接合焊盤連接到所述多個導電接線柱的扇入型再分布層（RDL）。

16.一種方法，包括：

通過將半導體管芯單元實質上包封在模塑料內來構建半導體設備封裝件；以及

構建將所述半導體管芯單元的接合焊盤電連接到所述半導體設備封裝件的外表面處的導電材料的再分布層（RDL）結構。

17.根據權利要求16所述的方法，其中將所述半導體管芯單元包封在所述模塑料內包括：

在所述半導體管芯單元和支撐所述半導體管芯單元的載體的表面之間產生空隙；以及

用所述模塑料填充所述空隙。

18.根據權利要求16所述的方法，還包括：

構建與所述半導體管芯單元的所述接合焊盤電耦合的多個導電接線柱；

將所述導電接線柱附接到載體的表面，其中所述多個導電接線柱被配置成維持所述半導體管芯單元和所述載體的所述表面之間的空隙。

19.根據權利要求18所述的方法，還包括在所述半導體管芯單元的表面上構建扇入型再分布層（RDL）結構，其中所述扇入型RDL被配置成將所述接合焊盤與所述多個導電接線柱電耦合。

20.根據權利要求18所述的方法，還包括在將所述半導體管芯單元實質上包封在所述模塑料中后，將所述RDL結構與所述多個導電接線柱電耦合，其中所述RDL結構是扇出型RDL結構。